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※未公開特許出願は対象外です。

国内特許 8件 ・・・>該当データ一覧


No. 出願番号
特許番号
発明の名称
掲載日
更新日
データ提供機関
1 特願2017-135877 - 毒性予測方法及びその利用 (未公開特許出願) NEW コモンズ 2017/08/04 2017/08/04 岐阜大学
2 特願2013-181145 特許第5613805号 酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器 NEW 新技術説明会 2017/08/02 2017/08/02 金沢工業大学
3 特願2014-038691 特開2015-162650 光電変換素子の製造方法、p型半導体層の製造方法およびp型半導体層 NEW 新技術説明会 2017/08/02 2017/08/02 金沢工業大学
4 特願2011-055367 特許第5930516号 植物の照明栽培方法、防虫用照明装置、および防虫用照明システム NEW 新技術説明会 2017/08/02 2017/08/02 金沢工業大学
5 特願2016-246316 特開2017-119681 機能性カプセル NEW コモンズ 新技術説明会 2017/08/02 2017/08/02 佐賀大学
6 特願2015-554710 WO2015098458 金属酸化物の薄膜、該薄膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池、および有機太陽電池 NEW 2017/08/02 2017/08/02 科学技術振興機構(JST)
7 特願2016-079355 - リン酸銀担持多孔性炭素材料の製造方法及びリン酸銀担持多孔性炭素材料 (未公開特許出願) NEW コモンズ 新技術説明会 2017/08/01 2017/08/01 福島大学
8 特願2017-146699 - 炭素担持金ナノ粒子材料の製造方法、炭素担持金ナノ粒子材料、及び触媒 (未公開特許出願) NEW コモンズ 新技術説明会 2017/08/01 2017/08/01 福島大学



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新技術説明会 6589件

No. 開催日
講演タイトル
講演者
特許関連情報
1 2017/09/21 歩行者に保持された計測装置(スマートフォン等)の移動方向推定技術
  • 産業技術総合研究所 人間情報研究部門 サービス観測・モデル化研究グループ
  • 興梠 正克
 
2 2017/09/21 機能性材料・生体材料への表面化学修飾ナノコーティング技術
  • 産業技術総合研究所 先進コーティング技術研究センター 光反応コーティング研究チーム
  • 中村 挙子
 
3 2017/09/21 光を使ったナノ炭素材料の分散制御・製膜技術
  • 業技術総合研究所 機能化学研究部門 スマート材料グループ
  • 神徳 啓邦
 
4 2017/09/21 錯体ならびに酸化物ナノ粒子を用いた塗布型調光素子
  • 産業技術総合研究所 材料・化学領域 ナノ材料研究部門 ナノ粒子機能設計グループ
  • 田嶌 一樹
 
5 2017/09/21 熱を灯りに ~空冷式熱電発電器の開発~
  • 産業技術総合研究所 無機機能材料研究部門 機能調和材料グループ
  • 舟橋 良次
 
6 2017/09/21 バイオマスセルロースナノファイバー由来機能性炭素材料の作製
  • 福島大学 共生システム理工学類 産業システム工学専攻
  • 中村 和正
 
7 2017/09/21 金クラスターを非常に簡単に活性炭へ担持させる方法
  • 福島大学 共生システム理工学類 環境システムマネジメント専攻
  • 大橋 弘範
  • 特願2017-146699
  • 炭素担持金ナノ粒子材料の製造方法、炭素担持金ナノ粒子材料、及び触媒
8 2017/09/21 吸着能と有機物分解能を有するリン酸銀担持多孔性炭素材料
  • 福島大学 共生システム理工学類 産業システム工学専攻
  • 浅田 隆志
  • 特願2016-079355
  • リン酸銀担持多孔性炭素材料の製造方法及びリン酸銀担持多孔性炭素材料
9 2017/09/21 簡便かつ高精度な太陽光発電システムの出力性能モニター
  • 福島大学 共生システム理工学類
  • 齊藤 公彦
 
10 2017/09/14 亜酸化銅(Cu2O)を用いる超低コスト太陽電池技術
  • 金沢工業大学 工学部 電気電子工学科
  • 宮田 俊弘
  • 特願2013-181145
  • 酸化亜鉛系透明導電膜、マグネトロンスパッタリング用焼結体ターゲット、液晶ディスプレイ及びタッチパネル、ならびに酸化亜鉛系透明導電膜を含んでなる機器
  • 特願2014-038691
  • 光電変換素子の製造方法、p型半導体層の製造方法およびp型半導体層



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