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ジアリールエテン単結晶表面の光誘起可逆的モルフォロジー変化

研究報告コード R000000414
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 小畠 誠也
  • 堀地 昌志
  • 入江 正浩
研究者所属機関
  • 九州大学大学院工学研究科
  • 九州大学大学院工学研究科
  • 九州大学大学院工学研究科
研究機関
  • 九州大学大学院工学研究院
報告名称 ジアリールエテン単結晶表面の光誘起可逆的モルフォロジー変化
報告概要 ジアリールエテンは,光閉環・光開環反応に際して分子容がわずかに変化することがX線構造解析から明らかになっている。本研究では,ジアリールエテン結晶表面の光励起モルフォロジー変化をAFMにより観察し,反応に伴う分子の動きとの相関について検討した。偏光吸光スペクトルを測定したところ,1bに相当する吸収極大波長630nmの吸光度には異方性が観察され,結晶状態で反応が進行していることが確認された。結晶表面をAFMにより観察したところ,光閉環/光開環反応に伴い結晶表面に約1nmの高さのステップが可逆的に生成することが認められた。図1は,結晶表面に対して横方向からみた分子配列を示している。ステップの高さは,ジアリルエテン長軸方向の長さに相当する。X線構造解析および偏光吸収スペクトル解析の結果,光閉環反応の際に長軸方向に収縮し,そのことがステップ生成の原因であることが確認された(図2)。
画像

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研究分野
  • 光伝送素子
  • 光学的効果
  • 光化学一般
  • 五員複素環化合物一般
  • 高分子固体の力学的性質
関連発表論文 (1)M.Irie, S. Kobatake, M. Horichi, Science, 291, 1769-1772 (2001)
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「単一分子・原子レベルの反応制御」研究代表者 入江 正浩(九大工学研究科)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 小畠 誠也,堀地 昌志,入江 正浩. ジアリールエテン単結晶表面の光誘起可逆的モルフォロジー変化. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.49 - 49.

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