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三重架橋金属グループ導入によるクラスター反応場の電子密度制御

研究報告コード R000000427
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 大橋 理人
  • 松原 公紀
  • 鈴木 寛治
研究者所属機関
  • 東京工業大学大学院理工学研究科
  • 東京工業大学大学院理工学研究科
  • 東京工業大学大学院理工学研究科
研究機関
  • 東京工業大学大学院理工学研究科
報告名称 三重架橋金属グループ導入によるクラスター反応場の電子密度制御
報告概要 クラスター反応場の電子密度制御を目的として,三核ルテニウムペンタヒドリド錯体および二核ルテニウムテトラヒドリド錯体2への架橋配位子の導入を検討してきた。本研究では,クラスター金属中心の電子密度を高めることによって有機基質に対する反応活性をさらに向上させることを狙い,電気陽性な典型金属原子を含む多核錯体反応場の構築に取り組んだ。錯体1とトリエチルアルミニウムとの反応によって,2種類の錯体5,6を得ると共に,その生成機構を検討した。これらの錯体は段階的なAl-C結合の切断を経て生成すること,ならびに触媒量AlEt3を添加することにより錯体6の生成が促進されることを明らかにした。また,クラスター上の電子密度をさらに高めることを企図し,アニオン錯体の合成に着手した。
画像

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研究分野
  • 分子の立体配置・配座
  • 有機化合物・錯体の磁気光学・電気光学スペクトル(分子)
  • 鉄の錯体
  • 有機白金族化合物
  • 高分子担体・触媒反応
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「単一分子・原子レベルの反応制御」研究代表者 鈴木 寛治(東工大院理工)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 大橋 理人,松原 公紀,鈴木 寛治. 三重架橋金属グループ導入によるクラスター反応場の電子密度制御. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.59 - 59.

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