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オフ角のついたホモエピタクシャルダイヤモンド薄膜のRHEEDによる解析

研究報告コード R000000473
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 高見 知秀
  • 峰 哲朗
  • 楠 勲
  • 蒲生西谷 美香
  • 安藤 寿浩
研究者所属機関
  • ヴィジョンアーツ株式会社 Spin Laboratory
  • サーモクエスト株式会社
  • 東北大学多元物質科学研究所(旧科学計測研究所)
  • 筑波大学先端学際領域研究センター
  • 文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
研究機関
  • 東北大学多元物質科学研究所(旧科学計測研究所)
  • 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • 文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
報告名称 オフ角のついたホモエピタクシャルダイヤモンド薄膜のRHEEDによる解析
報告概要 マイクロ波プラズマ化学蒸着(CVD)法を用いたダイヤモンドの気相成長の研究において,ホモエピタクシャル薄膜成長は最も基本的な成長である。この薄膜成長において,対称性の高い面方位からわざと数度ずらしてオフ角をつけた基盤を使うと,より高品質な薄膜が得られる。そこで,オフ角のついた基板を反射高速電子回折(RHEED)を用いて評価した。図1に示したRHEED図形は鏡面反射点がシャドウエッジの下にあって観察されていないのに対し,90度試料を回転させた方向から観察したRHEED図形ではシャドウエッジに対して菊池図形が傾いているのが観察され,この傾きからオフ角が分かった。更に90度回転させて得られたRHEED図形から試料は図2の模式図のように回折格子状の表面形態になっていると考えられた。
画像

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研究分野
  • 無機化合物の薄膜
  • 炭素とその化合物
関連発表論文 (1)Unusual RHEED patterns of a homoepitaxial diamond (001) surface explained by surface tilt.T.Takami,T.Mine,I. Kusunoki,M.Nishitani-Gamo,and T.Ando,Diamond and Related Materials,10 (2001),1676-1680.
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「単一分子・原子レベルの反応制御」研究代表者 安藤 寿浩(無機材研先端研)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 高見 知秀,峰 哲朗,楠 勲,蒲生西谷 美香,安藤 寿浩. オフ角のついたホモエピタクシャルダイヤモンド薄膜のRHEEDによる解析. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.97 - 97.

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