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半導体ダイヤモンド電極を用いた有機化合物の電解フッ素化

研究報告コード R000000480
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 沖野 不二雄
  • 柴田 寛丈
  • 川崎 晋司
  • 東原 秀和
  • 百田 邦堯
  • 蒲生西谷 美香
  • 坂口 勲
  • 安藤 寿浩
研究者所属機関
  • 信州大学繊維学部
  • 信州大学繊維学部
  • 信州大学繊維学部
  • 信州大学繊維学部
  • 森田化学工業
  • 文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
  • 文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
  • 文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
研究機関
  • 森田化学工業
  • 文部科学省 物質・材料研究機構(旧無機材料研究所)
  • 信州大学繊維学部
報告名称 半導体ダイヤモンド電極を用いた有機化合物の電解フッ素化
報告概要 ボロンをドープしたp型半導体ダイヤモンド電極を用いて,1,4-ジフルオロベンゼン(DFB)やベンゼンなどの有機化合物のサイクリックボルタモグラム(CV)の測定や電解フッ素化を行い,ダイヤモンド電極のフッ素系電解質中での特性を調べた。図1にHOPG,Pt,ダイヤモンド電極を用いたDFBのCVを示した。HOPG電極ではF-のインターカレーション・脱インターカレーションに対応するピークが,Pt電極ではPtO2の生成・還元に対応するピークが観測されたのに対し,ダイヤモンド電極では,DFBの電解フッ素化に対応するピークのみが観測された。このことより,ダイヤモンド電極はDFBの電解フッ素化に適していることが分かった。ダイヤモンド電極を用いたEt4NF・4HF中でのベンゼンについての予備的なCV結果から,Me4NF・4HFなどを用いることにより,より低い電位でフッ素化が進む可能性がある。
画像

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研究分野
  • 電気化学反応
  • 置換反応
関連発表論文 (1)T. Ando, K. Yamamoto, Y. Takamatsu, S. Kawasaki, F. Okino, H. Touhara, M. Kamo and Y. Sato, J. Chem. Soc, Faraday Trans., 91(18), 3209-3212 (1995).
(2)F. Okino, H. Shibata, S. Kawasaki, H. Touhara, K. Momota, M. Nishitani-Gamo, I. Sakaguchi and T. Ando, Electrochemical and Solid-State Letters, 2(8), 382-384 (1999).
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「単一分子・原子レベルの反応制御」研究代表者 安藤 寿浩(文部科学省 物質・材料研究機構 物質研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 沖野 不二雄,柴田 寛丈,川崎 晋司,東原 秀和,百田 邦堯,蒲生西谷 美香,坂口 勲,安藤 寿浩. 半導体ダイヤモンド電極を用いた有機化合物の電解フッ素化. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.100 - 100.

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