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過少ドープYBa2Cu307-δ薄膜の配向制御成長およびそのc軸遠赤外特性

研究報告コード R000000488
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • X.G. Qiu
  • 瀬川 勇三郎
  • いわさき
  • いとう
  • A. Sarin Kumar
  • 川崎 雅司
  • 鯉沼 秀臣
  • 齊藤 英治
  • 十倉 好紀
  • たけはな
  • 木戸 義勇
研究者所属機関
  • 理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
  • 理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
  • 東京工業大学
  • 東京工業大学
  • 東京工業大学
  • 東北大学金属材料研究所
  • 東京工業大学応用セラミックス研究所
  • 慶應義塾大学理工学部物理学科
  • 東京大学工学部物理工学科
  • 文部科学省 金属材料技術研究所
  • 文部科学省 物質材料研究機構(旧金属材料技術研究所)
研究機関
  • 東京大学工学部物理工学科
  • 文部科学省 物質材料研究機構(旧金属材料技術研究所)
  • 東京工業大学
  • 理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
報告名称 過少ドープYBa2Cu307-δ薄膜の配向制御成長およびそのc軸遠赤外特性
報告概要 SrTiO3基板上にc軸配向したYBa2Cu307-δ薄膜をパルスレーザ蒸着で作製した。薄膜の面内エピタキシーと双晶形成は酸素分圧(PO2)の影響を受けた。膜は,結晶のa軸とb軸が基板の対応軸から約0.5度離れて傾く構造をとる傾向があった。一方,面は互いに平行を維持していた。酸素分圧は双晶形成の減少と密接な関係があり,最終的にはPO2=600mTorrでアニールし双晶を抑制した。正方-to-斜方変換中の双晶形成は,単軸力と熱力学的な力の競合で調節されていると思われた。図1に示したように,c軸遠赤外反射率の測定を膜上で行った結果,定常状態ではキャリアはCuO面に限られ,それらのc軸を通っての輸送は一貫していないことが分かった。転移温度が基準(Tc)以下に下がるとc軸に沿ったキャリア輸送が確立され,反射刃状が110cm-1付近に観測された。Tc以上の温度の定常状態では擬ギャップが生じ,超電導状態まで続いた。
画像

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研究分野
  • 酸化物の結晶成長
  • 酸化物薄膜
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「単一分子・原子レベルの反応制御」研究代表者 鯉沼 秀臣(東工大フロンティア創造研究センター)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • X.G. Qiu,瀬川 勇三郎,いわさき,いとう,A. Sarin Kumar,川崎 雅司,鯉沼 秀臣,さいとう,くら,たけはな,きど. Orientation controlled growth of underdoped YBa2Cu307-δ thin films and their c-axis far infrared properties. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.107 - 107.

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