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Cu系高温超伝導薄膜の作製および特性

研究報告コード R000000526
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • Sundaresan Athinarayanan
  • J.C. Nie
  • 河村 政宏
  • 河村 政宏
  • 平井 学
  • 石浦 由美子
  • 藤原 真吾
  • 伊原 英雄
研究者所属機関
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • 東京理科大学
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所電子基礎部)
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
研究機関
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • 東京理科大学
報告名称 Cu系高温超伝導薄膜の作製および特性
報告概要 Cu系の超伝導薄膜((Cu1-xTlx)Ba2Ca2Cu3Oy:(Cu,Tl-1223),(Cu1-xTlx)Ba2Ca3Cu4Oy:(Cu,Tl-1234))を作製するのにアモルファス相エピタキシー法(APE)と自己形成エピタキシー法(SAE)を適用した。APE法では,SrTiO3基板上に高周波マグネトロンスパッタリングでCu,Tl-1223とCu,Tl-1234アモルファス膜を形成し,銀カプセル中でアニールして,単相および二軸配向薄膜を得た。膜のTc域は105~118K間にあり,Jcの磁場依存性は図1にある。TcおよびJc共にYBCOのそれより高かった。SAE法では,TlBa2CuO5-y:(1201)とCaCuO2の2種のターゲットを用いた。1201は基板と格子が略一致し,SrTiO3(100)基板上に超格子が成長し,X線回折(図2)での検証により超格子のλ(=1.868nm)はCu,Tl-1234のそれに近いことが分った。更に,CaCuO2とSrxCa1-xCuO2は面内の格子定数が良く一致するため,[CaCuO2]m/[SrxCa1-xCuO2]nの人工超格子を成長させた。同様にX線回折(図3)から正方晶の無限層構造を形成していることが分った。
画像

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研究分野
  • 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造
  • 薄膜成長技術・装置
  • 酸化物薄膜
  • 酸化物系超伝導体の物性
  • セラミック・磁器の性質
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 伊原 英雄(経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • Sundaresan. A,J.C. Nie,河村 政宏,平井 学,石浦 由美子,藤原 真吾,伊原 英雄. Preparation and Properties of Cu-based High-Tc Superconducting Thin Films. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.35 - 35.

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