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Cu-,Tl-系超伝導体の常圧および高圧におけるキャリア濃度および超伝導特性の評価

研究報告コード R000000527
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 常盤 和靖
  • 大谷 到
  • 森口 将明
  • 伊藤 賢
  • 小金沢 健尚
  • 渡辺 恒夫
  • 伊豫 彰
  • 田中 康資
  • 伊原 英雄
研究者所属機関
  • 東京理科大学
  • 東京理科大学
  • 東京理科大学
  • 東京理科大学
  • 東京理科大学
  • 東京理科大学
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
研究機関
  • 東京理科大学
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
報告名称 Cu-,Tl-系超伝導体の常圧および高圧におけるキャリア濃度および超伝導特性の評価
報告概要 ホールタイプ銅酸化物で重要な,面内抵抗率(ρab)のTへの線形依存性,ホール抵抗率(ρH)の1/Tに従う変化,およびcotθ(θ:ホール角)のT二乗の依存性などを,全てのCu-1234で測定した。一方,実キャリア濃度の測定は一般的に難しいが,通常のバンド理論のホール係数を用いるのは議論の余地がある。しかし,ヨード滴定分析での銅原子価とCuC-1234試料のホール数との関係から,ホール数はキャリア濃度の尺度となることを示した。その結果,広いキャリア濃度範囲で高いTc(117K)が得られるという,CuC-1234のユニークな特徴が観測された(図1)。高度にドープしたCuO2とほぼ最適にドープしたCuO2層の両方の電子状態が共存が,多層型超伝導体Cu-1234における特有の低い異方性を引き起こした。Cu-1234各濃度試料の8GPa圧でのTc増加(8~10K)は,Hg系およびBC系でのそれとほぼ同じであることが判った(図2)。CuTl-1223(Tc=134.6K)は8GPaで147.0Kに増加し,高度にドープしたCuTl-1223では更にプラス側に増加した。
画像

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研究分野
  • 酸化物薄膜
  • 無機化合物の電気伝導
  • 酸化物系超伝導体の物性
  • セラミック・磁器の性質
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 伊原 英雄(経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 常盤 和靖,大谷 到,森口 将明,伊藤 賢,小金沢 健尚,渡辺 恒夫,伊豫 彰,田中 康資,伊原 英雄. Evaluation of Carrier Concentration and Superconducting Properties under Normal and High Pressure in Cu-, Tl-system superconductors. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.36 - 36.

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