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CaF2/ダイヤモンドのMIS構造の基本特性

研究報告コード R000000539
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 小林 猛
  • 牧 哲朗
研究者所属機関
  • 大阪大学大学院
  • 大阪大学大学院
研究機関
  • 大阪大学大学院
報告名称 CaF2/ダイヤモンドのMIS構造の基本特性
報告概要 CaF2/ダイヤモンドMIS構造の電気的,化学物理的性質について述べた。 CaF2/ダイヤモンドMIS界面にはユニークな特徴がある。これらをMIS静電容量,表面伝導,XPS測定により検討した。従来のダイヤモンドフィルムのC-V曲線は理論から予測された深い落ち込みは示さなかったが(図1), CaF2/ダイヤモンドMIS構造ではC-V曲線の落ち込みが初めて観測され、界面が健全な状態にあることが確認された。酸素吸収はダイヤモンド表面の電気的性質に致命的損傷をもたらすが,高温でのCaF2EB蒸発は表面をふっ素でカバーし,酸素置換を促進することが予測された。XPS測定でCaF2蒸着によりふっ素カバーが優先することが示された。 さらにH末端の表面伝導に匹敵するCaF2蒸着後のダイヤモンド表面の伝導が見出された。これはCaF2蒸着温度により著しく上昇する(図2)。450度付近にその臨界温度がある。これはダイヤモンドのふっ素化生起温度に相当する。
画像

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研究分野
  • 無機化合物の薄膜
  • 固体の表面構造一般
  • 界面の電気的性質一般
  • 炭素とその化合物
関連発表論文 (1)T.Maki et al: Jpn.J.Appl.Phys.(2000)L575
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 川原田 洋(早稲田大学理工学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 小林 猛,牧 哲朗. Basic Properties of CaF2/Diamond MIS-Structure. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.57 - 61.

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