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低温走査型近接場光学顕微鏡によるモジュレーションドープAlGaAs/GaAs量子構造の発光分光分析

研究報告コード R000000543
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 時崎 高志
  • 河島 整
  • 重藤 知夫
  • 井上 貴仁
  • 横山 浩
研究者所属機関
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
研究機関
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
報告名称 低温走査型近接場光学顕微鏡によるモジュレーションドープAlGaAs/GaAs量子構造の発光分光分析
報告概要 モジュレーションドープAlGaAs/GaAs単一へテロ構造における界面およびキャリアー密度の僅かの変動が二次元電子ガス(2DEG)の局所ポテンシャルに影響し,発光強度およびスペクトル分布にも影響する可能性がある。本研究では局所変動の発光に及ぼす影響を走査型近接場光学顕微鏡(SNOM)を用いて調べた。サンプルは1μmドーピングなしGaAs,20nmドーピングなしAlGaAs,および80nmSiドープAlGaAs層から成り,1μm幅の線でエッチングした。2DEGの密度は2x1011cm-2ほどである。図1はヘテロ構造発光の中心波長である817nmで撮った断層写真像(a)と発光像(b)を示す。撮影範囲は600nmx600nmで,表面は数オングストロームの高低差で殆ど平坦である。発光像は>10%くらい変動しており,強い発光位置は必ずしも厚い半導体層と対応しておらず,他の要因が影響しているように思われる。
画像

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研究分野
  • 一般及び無機化合物の磁気光学・電気光学スペクトル(分子)
  • 顕微鏡法
  • 半導体薄膜
  • 無機化合物の薄膜
  • 固体デバイス計測・試験・信頼性
関連発表論文 (1)T. Tokizaki, K. Sugiyama, T. Onuki and T. Tani, J. Microscopy, 194 (1999) 321.
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 平山 祥郎(日本電信電話(株)物性科学基礎研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 時崎 高志,河島 整,重藤 知夫,井上 貴仁,横山 浩. Luminescence Spectroscopy of Moduration-doped AlGaAs/GaAs Quantum Structures with a Low-temperature Scanning Near-field Optical Microscope. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.68 - 68.

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