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ネオシリコン:未来の電子工学のための新しい機能性素材

研究報告コード R000000551
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 小田 俊理
研究者所属機関
  • 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
研究機関
  • 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
報告名称 ネオシリコン:未来の電子工学のための新しい機能性素材
報告概要 ナノクリスタルシリコン(nc-Si)量子ドットの粒径と粒子間距離が精確に制御されている新しい電子デバイス用機能材として「ネオシリコン」を提案する。ネオシリコンはドット間の相互作用のため室温で電子輸送,発光及び電子放出の新規の機能が期待できる。将来の超低消費電力デバイス,超高集積デバイスとして単電子デバイスへの期待が高まっている。この研究のために間連技術の最高スタッフでチームを組織した(表1)。ネオシリコンは従来の多孔質Siや微細結晶Siとは異なるものでそのイメージを図1に示した。室温動作のためには,数nmの微細構造を形成する必要があり,そのための特別な装置を作成した(図2)。超高周波励起によるパルスH2ガス供給を使ったSiH4プラズマ中で粒径3-4nmで粒子間が1-2nmのnc-Siを作製し,高分解能透過型電子顕微鏡観察で確認した。酸化物で表面を被覆したnc-Siより光ルミネセンスを得た。
画像

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研究分野
  • 半導体薄膜
  • 酸化物薄膜
  • 界面の電気的性質一般
  • 金属-絶縁体-半導体構造
  • 半導体のルミネセンス
  • 固体デバイス製造技術一般
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 小田 俊理(東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 小田 俊理. NeoSilicon: A Novel Functional Material for Future Electronics. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.86 - 89.

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