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シリコン量子ドットのメソスコープ特性

研究報告コード R000000552
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 西口 克彦
  • X. Zhao
  • 小田 俊理
研究者所属機関
  • 東京理科大学
  • 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
研究機関
  • 東京理科大学
  • 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
報告名称 シリコン量子ドットのメソスコープ特性
報告概要 シリコン量子ドットのメゾスコープ的性質を調べるために,バリスティック輸送効果の利点を生かした二つのデバイスを提示した。一つは小ディメンションの垂直構造デバイスで,化学蒸気体積法(CVD)によるシリコンの固相結晶(SPC)でできており,SiO2(30nm)/Si(25nm)/SiO2(30nm)/Siの構成である。バリスティック輸送にもとづく明瞭なコンダクタンスの量子化を観察可能にし,DCモードで温度3KでSi中の量子化コンダクタンスを測定した。バリスティック輸送による電流駆動安定性の増加を確認した。またナノ結晶シリコン(nc-Si)を用いて冷電子エミッターを製作した。nc-Siドットの高い制御性のため0.8%のエミッション効率を得ることができた。従来の多孔質シリコン(PS)で作られていた電子エミッターよりもナノ結晶点での粒径制御が容易であり,デバイスパフォーマンスを改善できた。
研究分野
  • 光伝送素子
  • 半導体薄膜
  • 酸化物薄膜
  • 非金属化合物に見られる電子伝導
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 半導体集積回路
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 小田 俊理(東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 西口 克彦,X. Zhao,小田 俊理. Mesoscopic Properties of Silicon Quantum Dots. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.90 - 90.

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