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単一電子メモリーデバイス

研究報告コード R000000553
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • Bruce J Hinds
  • 山中 崇行
  • 西口 克彦
  • 小田 俊理
研究者所属機関
  • ケンタッキー大学
  • 経済産業研究所
  • 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
研究機関
  • 東京工業大学
報告名称 単一電子メモリーデバイス
報告概要 ナノ結晶量子ドットに基づく単一電子メモリーデバイスの開発に当たり,nc-Siの位置を制御するため,新しい選択的化学表面処理を提案した。選択性はカルボキシル基とアミン官能基の間の吸引力に基づくものである。このような選択性はnc-Au/SiO2システムについて実証されているが,ここでは新しい合成スキームをnc-Si/SiO2システムに適用した。このスキームの利点は,電子ビームまたはAFMリソグラフィーが単層のパターンを形成し,nc-Siが堆積する場所の空間位置をパターン化できることである。重要なのは,有機単層は酸化によって容易に除去されて欠陥がないSi/SiO2トンネルバリアを形成することである。
研究分野
  • 半導体薄膜
  • 酸化物薄膜
  • 非金属化合物に見られる電子伝導
  • 界面の電気的性質一般
  • 固体デバイス製造技術一般
  • 固体デバイス
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 小田 俊理(東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • B.J. Himds,山中 崇行,西口 克彦,小田 俊理. Single Electron Memory Devices based on Nanocrystalline Silicon Quantum Dots. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.91 - 91.

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