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分光エリプソメトリを用いたInGaP/GaAsヘテロ界面構造の制御とInGaAsP系MOCVDプロセスの数値解析

研究報告コード R000000563
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 霜垣 幸浩
研究者所属機関
  • 東京大学大学院工学系研究科
研究機関
  • 東京大学
報告名称 分光エリプソメトリを用いたInGaP/GaAsヘテロ界面構造の制御とInGaAsP系MOCVDプロセスの数値解析
報告概要 本報ではMOCVD(有機金属気相エピタクシー)技術を用いたInGaAsPの成長に関する数値解析と,分光エリプソメトリによるその場観測に基づくInGaP/GaAsヘテロ界面の構造制御を扱った。本研究では成長レートと層成分の分布については実験からの計測と数値解析で検討し,観測と確認は分光エリプソメトリとSEM観察によった。図1にMOCVD装置を用いて610℃でInGaP層を成長させた場合の成長レートのデータ(実験からの計測値と数値シミュレーションによる予測値)の例を示す。また図2は,InGaPの表面からPが離脱することに伴う偏光特性の変化の様子を示すデータ例である。解析と実験の結果から,これらの情報がMOCVD装置におけるヘテロ界面構造制御に使える可能性を示した。
画像

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研究分野
  • 半導体の結晶成長
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 半導体の表面構造
  • 固体デバイス材料
関連発表論文 (1)M. Sugiyama, K. Kusunoki, Y. Shimogaki, S. Sudo, Y. Nakano, H. Nagamoto, K. Sugawara, K. Tada, and H. Komiyama, Appl. Surf. Science, 117/118, 746-752 (1997).

(2)O. Feron, Y. Nakano, and Y. Shimogaki, J. Crystal Growth, in press.

(3)T. Nakano, Y. Nakan, and Y. Shimogaki, J. Crystal Growth, in press.
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 中野 義昭(東京大学工学系研究科)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 霜垣 幸浩. Structure control of InGaP/GaAs hetero-interface by in-situ ellipsometry and numerical analysis of InGaAsP quaternary materials growth in MOVPE. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.111 - 111.

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