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InAs量子ドットの製作における精密制御

研究報告コード R000000574
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • さいとう ひであき
  • にし けんいち
研究者所属機関
  • 日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
  • 日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
研究機関
  • 日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
報告名称 InAs量子ドットの製作における精密制御
報告概要 本報ではInAs量子ドットの製作における精密制御を扱った。QW(量子井戸)やQD(量子ドットの作製に必要な精密制御は,光学的および電子的ウエーブパケットの相互制御構造に適用するためには不可欠である。転位無しのQDは従来から自己形成法で作られてきた。QDの形状の制御や均一性を改善すべく,本報では,温度条件を変えて,QD製作時における形状の詳細を観察・検討した。カップルドQDではエネルギーレベルの連結のため水平方向と垂直方向における間隔を精密制御する必要があるので,QDを層に密配置する場合や層に集積する場合の検討もした。実験では分子ビームエピタクシーを用いて温度510度と550度で,GaAs基板上にInAsを成長させてQDを製作した。実験結果として,図1にQDの径の関数としてのQDの高さを,図2には室温で測ったフォトルミネッセンスのエネルギースペクトルを示した。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 固体デバイス一般
  • 固体デバイス製造技術一般
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 Roy Lang(東京農工大学)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • さいとう ひであき,にし けんいち. Precise control of the fabrication in InAs quantum dots. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.135 - 136.

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