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スピン-電荷結合電子デバイスの基礎としてのスピンインジェクション

研究報告コード R000000575
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 鈴木 義茂
研究者所属機関
  • 経済産業省 産業技術総合研究所エレクトロニクス部門(旧電子技術総合研究所)
研究機関
  • 産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門(旧電子技術総合研究所)
報告名称 スピン-電荷結合電子デバイスの基礎としてのスピンインジェクション
報告概要 本報では,スピン-電荷結合電子デバイスの基礎としてのスピンインジェクション(注入や移動)を扱った。多くの電子素子は電子の2視点(電荷とスピン)を電流と磁化として別々に利用している。GMR(巨大磁気抵抗効果)やTMR(トンネル磁気抵抗効果)の発見は,電子素子においてこの2つの自由度を連結して,スピン-電荷結合を利用する新たな素子の研究分野を開いた。図1に,各々磁気モーメントの方向が異なる強磁性体2つを突合せた界面を通過する電流と界面で発生するスピン依存散乱に起因する磁気抵抗効果やスピンインジェクションの概念を,図2にトンネル接合の試作例を示す。本プロジェクトでは,上記効果を利用した新機能(スピンインジェクションやスピン依存の輸送効果に基づく電子スイッチング、スピンインジェクションに基づく磁気スイッチング、磁気位相遷移の利用,さらに高品位TMR)の開発を進めている。
画像

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研究分野
  • 金属結晶の磁性
  • 無機化合物の磁性
  • 固体デバイス一般
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)S. Yuasa, T. Sato, E. Tamura, Y. Suzuki, H. Yamamori, K. Ando, and T. Katayama, Europhysics Letter, in press.
(2)Y. Suzuki, T. Katayama, P. Bruno, S. Yuasa, and E. Tamura, Phys. Rev. Lett., 80, (1998) 5200.
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「電子・光子等の機能制御」研究代表者 鈴木 義茂(経済産業省 産業技術総合研究所エレクトロニクス部門)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 鈴木 義茂. Spin-injection as a base of the spin-charge coupled electronic devices. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.137 - 137.

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