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3次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用

研究報告コード R000000656
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 廣瀬 全孝
研究者所属機関
  • 広島大学工学部
研究機関
  • 広島大学工学部
報告名称 3次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用
報告概要 均一サイズで位置制御されたシリコン量子ドット及び細線構造の形成法,及びこれらを電子のトンネルが可能なように近接して,3次元的に配列する方法を確立する。孤立量子ドット,ドット結合系,シリコン及び金属細線,3次元集積量子構造に現れる電気的及び光学的な量子現象を実験及び理論の両面から解析する。ゲート長及びゲート幅が共に30~100nmの超微細MOSトランジスタを開発する。これによって,3次元集積量子構造への電気信号の入出力系として超微細MOSトランジスタを量子配線によりマトリックス状に接続した系を利用できるようにする。3次元集積量子構造体内部におけるクーロン・ブロッケイド効果や,量子構造間の電子輸送現象を利用し,学習能力を有する知能情報処理機能体を設計し,そのシステム評価を行う。これまでに得られた成果を報告する。
研究分野
  • 界面の電気的性質一般
  • 記憶装置
  • トランジスタ
関連発表論文 (1)K. Nakagawa, M. Fukuda, S. Miyazaki and M. Hirose, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 452 (1997) 243.
(2)S. Miyazaki, Y. Hamamoto, E. Yoshida, M. Ikeda and M. Hirose, Thin Solid Films 369 (2000) p.55.
(3)S. Miyazaki, M. Ikeda, Y. Yoshida, N. Shimizu and M. Hirose, Proc. of the 25th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors(Springer Verlag 2001)373.
(4)A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose, Ext. Abst. of Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials (Hiroshima, 1998) p.174.
(5)A. Kohno, H. Murakami, M. Ikeda, H. Nishiyama, S. Miyazaki and M. Hirose, Ext. Abst. of Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials (Sendai, 2000) p.124.
(6)M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Miyazaki and M. Hirose, IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001)259.
(7)Khairurrijal, W. Mizubayashi, S. Miyazaki and M. Hirose, Applied Physics Letters, 77 (2000)3580.
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 廣瀬 全孝(広島大学工学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 廣瀬 全孝. 3次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.37 - 40.

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