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表面・界面反応制御によるナノ構造形成と評価

研究報告コード R000000659
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 高萩 隆行
  • 坂上 弘之
  • 新宮原 正三
  • 横山 新
研究者所属機関
  • 広島大学工学部
  • 広島大学工学部
  • 広島大学工学部
  • 広島大学ナノデバイス・システム研究センター
研究機関
  • 広島大学工学部
  • 広島大学ナノデバイス・システム研究センター
報告名称 表面・界面反応制御によるナノ構造形成と評価
報告概要 固体表面や界面における特異的化学反応を利用することによって,原子,分子オーダの微細構造を多数集積する研究を行った。シリコン細線形成法を開発し,低温非線形伝導特性(図1)を観測した。クーロンブロッケイド,クーロン振動が明りょうに観測された。また,シリコン表面の選択的化学反応を用いたナノ構造体形成として,周期的水素終端構造を持つシリコンウエハを用いてアルミニウム細線の周期的配列構造を自己組織的に形成できた。また,さらにアルミニウム陽極酸化法によって,SiO2/Si基盤上にアルミニウムドットの六角格子配列構造を形成することができた(図2)
画像

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研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 界面の電気的性質一般
  • 無触媒反応
  • 電極過程
  • 固体デバイス製造技術一般
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 廣瀬 全孝(広島大学工学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 高萩 隆行,坂上 弘之,新宮原 正三,横山 新. 表面・界面反応制御によるナノ構造形成と評価. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.43 - 43.

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