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刺激応答スピンシステム

研究報告コード R000000684
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 阿波賀 邦夫
  • 瀬川 浩司
  • 村田 滋
研究者所属機関
  • 東京大学大学院総合
  • 東京大学大学院総合
  • 東京大学大学院総合
研究機関
  • 東京大学大学院総合
報告名称 刺激応答スピンシステム
報告概要 有機量子デバイス構築を目標として,Mn12核クラスター錯体の分子レベルでのメモリー効果,ポルフィリンπラジカルオリゴマーのスピン整列と光制御,及び光励起エネルギー移動による高スピン状態の高効率的発生について検討した。Mn12核クラスター錯体(図1)の結晶溶媒を含む系を合成し,その磁化曲線が二段階で飽和することを発見した。メソ位直結型Znポルフィリンπラジカルオリゴマーの合成と物性を検討した。光照射により電子移動が起こり,ポルフィリンダイマービラジカルが生じ,スピン整列が可能であることが明らかになった。光吸収部位としてピレンを有する有機高スピン前駆物質(図2)を合成し,この化合物の光化学的挙動を検討した。光吸収部位を高スピン前駆部位に連結させてスピン発生効率の増加が可能であることを実験的に示した。
画像

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研究分野
  • 有機化合物の磁性
  • 光化学反応
  • 四環以上の炭素縮合多環化合物
  • 八員環以上の複素環化合物
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 雀部 博之(千歳科学技術大学)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 阿波賀 邦夫,瀬川 浩司,村田 滋. 刺激応答スピンシステム. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.83 - 83.

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