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シリコンクラスレートおよび関連するシリコンナノネットワーク薄膜の合成

研究報告コード R000000700
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 山中 昭司
  • 小久保 真
  • 時永 雄介
  • 犬丸 啓
  • 花房 謙二
  • 亀井 一人
  • 新谷 昭
研究者所属機関
  • 広島大学工学部
  • 広島大学工学部
  • 広島大学工学部
  • 広島大学工学部
  • 住友金属工業
  • 住友金属工業
  • 住友金属工業
研究機関
  • 広島大学工学部
  • 住友金属工業
報告名称 シリコンクラスレートおよび関連するシリコンナノネットワーク薄膜の合成
報告概要 金属内包シリコンクラスレートを基板として用い,エピタキシャル成長によりSi46の合成を試みた。Si基板上にBa-Au-Si三元系のシリコンクラスレートを合成し,これを下地として,Si46をエピタキシャル合成することを試みた。基板にはSi(100)を用い,SiとAuは電子ビーム加熱により,Baは抵抗加熱により蒸着した。得られた膜のX線回折測定から,格子定数10.4Aで,Ba8Au6Si40に相当するクラスレートの生成が確認された。酸化膜を除くため,基板のエッチングを行い,チャンバー内を850℃で真空加熱し,さらにSiを表面に薄く蒸着した。この表面にBaとAuを蒸着し,Siと反応させ,三元系シリコンクラスレート薄膜を得た。これを下地として,種々の条件でSiを電子ビーム蒸着し,Si46薄膜を合成した(図1)。
画像

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研究分野
  • X線回折法
  • 分子化合物の結晶構造
  • 薄膜成長技術・装置
  • 分子化合物
関連発表論文 (1)H. Kawaji, H. Horie, S. Yamanaka, M. Ishikawa, Phys. Rev. Lett.. 74, 1427 (1995).
(2)S. Yamanaka, E. Enishi, T. Yasukawa, H. Fukuoka, Ba8Si46, Inorg. Chem., 39, 56 (2000).
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 山中 昭司(広島大学工学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 山中 昭司,小久保 真,時永 雄介,犬丸 啓,花房 謙二,亀井 一人,新谷 昭. シリコンクラスレートおよび関連するシリコンナノネットワーク薄膜の合成. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.110 - 110.

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