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単一電子電荷計読み出しを使った微小メモリセル

研究報告コード R000000712
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 馬場 雅和
  • 中村 泰信
  • 安井 孝成
  • 蔡 兆申
研究者所属機関
  • 日本電気(株)基礎研究所
  • 日本電気(株)基礎研究所
  • 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • 日本電気(株)基礎研究所
研究機関
  • 日本電気(株)基礎研究所
  • 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
報告名称 単一電子電荷計読み出しを使った微小メモリセル
報告概要 アルミ単一電子トランジスタが室温でも十分な電荷分解能を持つことをこれまで示して来た。今回この特性をメモリの読み出し部に使った室温動作を目指した単一/少数電子メモリを二つ紹介する。
1)微小トンネル接合・金属島の2次元アレーを自己組織的に形成する金微粒子・有機分子系を使って単一電子トラップ型メモリセルを試作した。記憶部に,直径数nmのものが容易に得られる金微粒子の2次元アレーを用い,読み出しにアルミSETを用いた構造である(図1)。メモリ動作が確認された(図2;ゲート特性)。また,電子の放出特性の温度依存性より,単一電子トラップ型であることを確認した,
2)一方,強誘電体は,一般的に高不揮発性であり,高耐久性が期待できる。電荷蓄積部として強誘電体を用いた単一電子メモリセル(図3)を試作した。これは書込み電圧を印加すると,強誘電体中での電荷移動を示唆する不規則な位相変動が,アルミSETのクーロン変調に観測された。
画像

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研究分野
  • 誘電体一般
  • 固体デバイス製造技術一般
  • トランジスタ
  • 半導体集積回路
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 大塚 洋一(筑波大学物理学系)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 馬場 雅和,中村 泰信,安井 孝成,蔡 兆申. 単一電子電荷計読み出しを使った微小メモリセル. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.130 - 130.

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