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分数・整数量子ホール系における非弾性散乱と端状態間緩和

研究報告コード R000000732
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 町田 友樹
  • 石塚 進
  • 小宮山 進
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • 東京大学大学院総合文化研究科
  • 東京大学大学院総合文化研究科
研究機関
  • 科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • 福岡女子大学人間環境学部
報告名称 分数・整数量子ホール系における非弾性散乱と端状態間緩和
報告概要 分数量子ホールにおけるエッジ状態描像解明のため,分数エッジチャネルに間非平衡分布を調べた。v=1の整数量子ホール状態にある二次元電子系において,ショットキーゲートによるポテンシャル障壁を用いて分数エッジチャネルを選択的に透過/反射すると,量子化ホール抵抗値と異なるホール抵抗の値が測定された。これはv=1の整数エッジチャネルが分数エッジチャネルに分割しており,5umのエッジ長に渡って非平衡分布が緩和しないことを示している。さらに,分数量子ホール系における非弾性散乱過程解明のため,分数量子ホールを遷移幅の試料サイズ依存性を調べた。v=2/3とv=3/5の分数量子ホール状態間遷移幅は80mK以下の低温領域で系統的なサイズ依存性を示した。これは分数量子ホール系における非弾性散乱長が試料と同程度のおおきさ(~10um)であることを示している。
研究分野
  • 量子光学一般
  • 半導体-金属接触
  • 無機化合物一般及び元素
関連発表論文 (1)Nonequilibrium population in fractional edge states T.Machida,S.Ishizuka,S.Komiyama,K.Muraki,and Y.Hirayama Physica B298,150(2001).
(2)Scaling in fractional quantum-Hall transitions T.Machida,S.Ishizuka,S.Komiyama,K.Muraki,and Y.Hirayama Physica B298,182(2001).
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 小宮山 進(東京大学大学院総合文化研究科)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 町田 友樹,石塚 進,小宮山 進. 分数・整数量子ホール系における非弾性散乱と端状態間緩和. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.162 - 162.

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