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AlGaAs/GaAs量子細線中の超高速励起子ダイナミクス

研究報告コード R000000755
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 諸橋 功
  • 小森 和弘
  • 安平 哲太郎
  • 岡田 工
  • 鶴町 徳昭
  • 鶴町 徳昭
  • 彦坂 憲宣
  • 王 学論
  • 小倉 睦郎
研究者所属機関
  • 湘南工科大学大学院工学研究科
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
  • 経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
  • 東海大学短期大学部
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
  • 新エネルギー・産業技術総合開発機構
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
  • 経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • 独立行政法人 産業技術総合研究所
研究機関
  • 湘南工業大学工学部
  • 経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
  • 東海大学短期大学部
  • 新エネルギー・産業技術総合開発機構
報告名称 AlGaAs/GaAs量子細線中の超高速励起子ダイナミクス
報告概要 超高速素子への応用を目指して半導体量子ナノ構造の研究を行っている。今回,流量変調法によって形成した高品質量子細線のピコ秒以下の時間領域での超高速キャリアのダイナミクスを調べた。V溝GaAs基板上に流量変調法を用いて多周期の量子細線構造を形成し,メサ上の<100>を除去し,再成長によってAlGaAsクラッド層を形成し,表面を平坦化した結果,三日月形状した量子細線が形成された(図1)。図1にはこのサンプルのPLE特性を示す。偏光異方性を有するピークが見られる。量子細線中の励起子の超高速ディナミクスはポンププローブ法と電気光学(EO)サンプリング法によって調べた。図2には,遅延時間に対するポンププローブ法の反射率変化と反射スペクトルの遅延時間依存性を示す。これから励起子固有の励起子シフトとブロードニング特性が見られた。図3には,量子細線を超短光パルス励起した際に発生するテラヘルツ電磁波を自由空間EOサンプリング法によって測定した結果を示す。
画像

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研究分野
  • 量子光学一般
  • 励起子
  • 電気光学効果,磁気光学効果
  • 無機化合物一般及び元素
  • 固体デバイス材料
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 小倉 睦郎(電子技術総合研究所電子デバイス部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 諸橋 功,小森 和弘,安平 哲太郎,岡田 工,鶴町 徳昭,彦坂 憲宣,王 学論,小倉 睦郎. AlGaAs/GaAs量子細線中の超高速励起子ダイナミクス. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.201 - 201.

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