TOP > 研究報告検索 > InP(311)A基板上のInGaAs/InAlAs量子細線FETの負性抵抗

InP(311)A基板上のInGaAs/InAlAs量子細線FETの負性抵抗

研究報告コード R000000756
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • Kee-Youn JANG
  • Kee-Youn JANG
  • 菅谷 武芳
  • 松本 和幸
  • 松本 和幸
  • 小倉 睦郎
  • 杉山 佳延
  • 富沢 一隆
  • 田村 耕一郎
研究者所属機関
  • 産業技術総合研究所
  • 科学技術振興事業団 科学技術特別研究員
  • 産業技術総合研究所
  • 産業技術総合研究所
  • 芝浦工業大学
  • 独立行政法人 産業技術総合研究所
  • 産業技術総合研究所
  • 明治大学
  • 明治大学
研究機関
  • 経済産業省 産業技術総合研究所
  • 科学技術振興事業団 科学技術特別研究員
  • 芝浦工業大学
  • 明治大学
報告名称 InP(311)A基板上のInGaAs/InAlAs量子細線FETの負性抵抗
報告概要 半導体量子細線は新しい電子デバイスや光学デバイスへの様々な応用が考えられ、大きな関心を集めている。非平面基板の上でのIII-V半導体の選択的成長は量子細線の製造の有望な方法として認められている。この研究では,初めて,(311)A InP V-溝基板上での標記細線を作成した。図1にそのトレンチタイプの細線の断面図を示した。(111)A及び(331)Bファセットを持つトレンチタイプの構造をAs2フラックス中で作成に成功した。また、この量子細線が,良好な光学特性を持っていることを,カソードルミネセンス測定及びフォトルミネセンススペクトルから確認している。図2に量子細線-FETの室温における電流電圧特性を示す。この特性は良好な飽和特性を示した。図3に40Kにおける電流電圧特性を示した。この量子細線-FET電圧の上昇に伴い明確な負性抵抗スペクトルが観測された。トレンチ型細線FETの負性抵抗は、ピーク/ヴァレイ比が高く、オンセット電圧が低い優れた特性を示しており、高周波、低消費電力デバイスへの応用が期待される。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R000000756_01SUM.gif R000000756_02SUM.gif
研究分野
  • 量子光学一般
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 半導体のルミネセンス
  • 無機化合物一般及び元素
  • 固体デバイス材料
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 小倉 睦郎(電子技術総合研究所電子デバイス部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • Kee-Youn JANG,菅谷 武芳,松本 和幸,小倉 睦郎,杉山 佳延,富沢 一隆,田村 耕一郎. Negative Differential Resistance of InGaAs/InAlAs Quantum Wire FET on InP(311)A Substrate. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.202 - 202.

PAGE TOP