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様々な電子材料からのテラヘルツ電磁波放射

研究報告コード R000000761
掲載日 2002年9月30日
研究者
  • 斗内 政吉
研究者所属機関
  • 大阪大学超伝導フォトニクス研究センター
研究機関
  • 大阪大学超伝導フォトニクス研究センター
報告名称 様々な電子材料からのテラヘルツ電磁波放射
報告概要 本研究では,様々な電子材料(半絶縁性GaAs基板,など)からのテラヘルツ電磁波放射を観測し,それら放射特性から,テラヘルツ電磁波放射機能並びに光励起された電荷の超高速ダイナミックスを明らかにする。図1にSIーGaAs基板からのテラヘルツ電磁波放射の例を示す。 LT-GaAsやYBCO薄膜に比べて,比較的大きな放射パワーを得ている。図2にLT-GaAsからのポンプブローブテラヘルツ電磁波放射の観測例を示す。 LT-GaAs中における光励起後の超高速ダイナミックスが観測されており,緩和過程成分として200fs以下ものが存在することが示唆されている。また,SI-GaAsの放射温度依存性は,移動度とバレー間遷移によって説明される。図3には,Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜上に作製した光スイッチからのテラヘルツ電磁波放射の観測例で,Mn系酸化物からとしては世界ではじめてのテラヘルツ電磁波放射観測である。
画像

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研究分野
  • 電磁気学一般
  • 量子光学一般
  • 無機化合物一般及び元素
  • 固体デバイス材料
関連発表論文 (1)N. Kida and M. Tonouchi "Terahertz radiation for magnetoresistive Pr0.7Ca0.3MnO3 thin films" Applied Physics Letters vol78.No26(2001)4115.
研究制度
  • 戦略的基礎研究推進事業、研究領域「量子効果等の物理現象」研究代表者 井口 家成(東京工業大学大学院理工学研究科)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 斗内 政吉. 様々な電子材料からのテラヘルツ電磁波放射. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.211 - 211.

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