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量子ドットメモリおよび量子ドット関連の主な研究成果

研究報告コード R990003912
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 田中 一郎
  • 神谷 格
  • 野毛 宏
  • 井下 猛
  • 遊佐 剛
  • Lelong Ph.
  • Ngo T.T.
  • Petroff P.M.
  • Qureshi N.
  • Allen, S.J. Jr.
  • 山内 美如
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • Materials Department and QUEST, University of California, Santa Barbara
  • Materials Department and QUEST, University of California, Santa Barbara
  • University of California, Santa Barbara
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • Materials Department and QUEST, University of California, Santa Barbara
報告名称 量子ドットメモリおよび量子ドット関連の主な研究成果
報告概要 量子ドットメモリ及び関連の主な研究成果について述べた。
MBE法で,GaAsとAlGaAsの界面からInAsドット層までの距離が数十~数百nmのFETを製作し,メモリー素子として動作することを示した。レーザ光によりInAs量子ドット中の電子・ホール数が制御できることを発見した。2層のInAsドット層を含む試料の,電子間のクーロン相互作用を考慮した静電容量・電圧スペクトルの理論計算を行い実験との対応を明らかにした。導電性探針を用いたAFMにより,1個の量子ドットによるものと考えられる共鳴トンネル効果を観測し,さらに,量子ドットの電流・電圧特性を測定する手法を開発した。量子ドットを介した光励起トンネリングと歪誘起量子ドットからのPLスペクトルのTHz変調を観察した。基板温度とIn供給量の制御により,ドットの直径,密度を制御する手法を見いだした。GaAsの量子ドットを選択ガスエッチングにより作製するプロセスを開発した。
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)H. Sakaki, Surf. Sci. 267 (1992) 623; Solid State Commun. 92 (1994) 119.
(2)H. Sakaki, G. Yusa, T. Someya, Y. Ohno, T. Noda, H. Akiyama, Y. Kadoya, and H. Noge, Appl. Phys. Lett., 67 (1995) 3444.
(3)G. Yusa and H. Sakaki, Electron. Lett. 32 (1996) 491.
(4)G. Yusa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 345.
(5)G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, and P.M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1767.
(6)R.J. Luyken, M. Haslinger, B.T. Miller, M. Frieke, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, and P.M. Petroff, Physica E2 (1998) 704.
(7)Ph. Lelong and H. Sakaki, submitted to IOP Conf. Ser.
(8)M. Narihiro, G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 105.
(9)I. Kamiya, I. Tanaka, K. Tanaka, and H. Sakaki, to be submitted to Appl. Phys. Lett.
(10)I. Tanaka, I. Kamiya, H. Sakaki, N. Qureshi, S.J. Allen, Jr., and P.M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 844.
(11)I. Tanaka, I. Kamiya, and H. Sakaki, J. Cryst. Growth, 201/202 (1999) 1194.
(12)I. Kamiya, I. Tanaka, and H. Sakaki, to be submitted to Appl. Phys. Lett.
(13)M. Yamauchi, T. Inoshita, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 1582.
(14)N. Qureshi, J.S. Scott, S.J. Allen, Jr, M. Reddy, M.J.W. Rodwell. Y. Nakamura, I. Tanaka, T. Noda, I. Kamiya, and H. Sakaki, Physica E2 (1998) 701.
(15)L.P. Kouwenhoven, S. Jauhar, J. Orenstein, P.L. McEuen, Y. Nagamune, J. Motohisa, and H. Sakaki, Phys. Rev. Lett. 73 (1994) 3443.
(16)G. Yusa, S.J. Allen, H. Sakaki, J. Ahopelto, H. Lipsanen, M. Sopanen, and J. Tulkki, to be published in Proc. of the Intn'l. Conf. on the Phys. of Semicon.
(17)T. Inoshita and H. Sakaki, Physica B227 (1996) 373.
(18)I. Kamiya, I. Tanaka, and H. Sakaki, J. Cryst. Growth, 201/202 (1999) 1146.
(19)T.T. Ngo, P.M. Petroff, and H. Sakaki, Phys. Rev. B53 (1996) 9618.
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 田中 一郎,神谷 格,野毛 宏,井下 猛,遊佐 剛,Lelong Ph.,Ngo T.T.,Petroff P.M.,Qureshi N.. 量子ドットメモリおよび量子ドット関連の主な研究成果. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.43 - 57.

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