TOP > 研究報告検索 > 半導体量子ナノ構造の赤外光・高周波電磁波に対する応答

半導体量子ナノ構造の赤外光・高周波電磁波に対する応答

研究報告コード R990003913
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 辻野 壮一郎
  • Ruefenacht M
  • 菅原 宏治
  • 笹川 隆平
  • 秋山 英文
  • 河野 淳一郎
  • Parelta X
  • 井上 正崇
  • 遊佐 剛
  • Aphopelto, J.
  • 永 宗靖
  • Kouwenhoven L
  • 榊 裕之
  • Allen S.J.
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • Quantum Institute, University of California, Santa Barbara
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • Quantum Institute, University of California, Santa Barbara
  • 大阪工業大学工学部電気工学科
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • VTT Tech.
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • Department of Applied Physics, Delft University of Technology, The Netherlands
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • Mathematics Department, University of California, Santa Barbara, California
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • Quantum Institute, University of California, Santa Barbara
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 大阪工業大学
  • VTT Tech. Finland
  • Department of Applied Physics, Delft University of Technology, The Netherlands
報告名称 半導体量子ナノ構造の赤外光・高周波電磁波に対する応答
報告概要 半導体量子ナノ構造のサブバンド間光遷移過程の物理及び電子系のダイナミックスを調査した。
量子井戸のサブバンド間光吸収において,共鳴エネルギーの制御を検討した。電界移動二重井戸構造でサブバンド間光励起による電子分布の制御及び緩和過程の制御により中赤外光で近赤外発光を起こす素子を提案し,動作を確認した。パルスレーザを用いサブバンド間強励起下で準定常状態の二次元電子の分布を調査した。金属被覆量子井戸試料を作製し赤外吸収を測定したところシャープな吸収が観測された。ゲート電極で覆われた二次元電子系において,エッジ状態のTHz光吸収がゲートにおける光起電力応答として観測された。量子細線の強磁場下の光伝導応答を測定した。歪量子ドット構造を用いて,自由電子レーザによりTHz光照射下のフォトルミネッセンスを調査した。マイクロ波照射下の単一量子ドット構造において,メゾスコピック領域におけるフォトアシステッドトンネリング現象を初めて観測した。
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)S. Tsujino, H. Akiyama, H. Sugawara, M. Ruefenacht, Y. Kadoya, T. Noda, and H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5989 (1995).
(2)S. Tsujino, C. Metzner, T. Noda and H. Sakaki, Physica Status Sol. (b) 204, 162 (1997).
(3)S. Tsujino, M. Ruefenacht, H. Nakajima, T. Noda, C. Metzner and H. Sakaki, Phys.Rev.B62,1560(2000).
(4)M. Ruefenacht and H. Sakaki, Phys. Stat. Sol. (b) 204, 151 (1997).
(5)M. Ruefenacht, S. Tsujino, Y. Ohno, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett., 70, 1128 (1997).
(6)M. Ruefenacht, S. Tsujino and H. Sakaki, Physica B 251, 723 (1998).
(7)H. Akiyama, H. Sugawara, Y. Kadoya, A. Lorke, S. Tsujino, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett., 65, 424 (1994).
(8)R. Sasagawa, H. Sugawara, Y. Ohno, H. Nakajima, S. Tsujino, H. Akiyama, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett., 72, 719 (1998).
(9)S. Tsujino, S.J. Allen, M. Thomas, Z.P.Zhang,J.Speck, T. Eckhouse, E. Gwinn, M.Ruefenacht, and H. Sakaki, to be published in Superlattices and Microstruc.(2000)
(10)S. Tsujino, H. Nakajima, T. Inoshita, T. Noda and H. Sakaki, Physica B 251, 571 (1998).
(11)J. Kono, Y. Nakamura, X.G. Peralta, J. Cerne, S.J. Allen, Jr., H. Akiyama, H. Sakaki, T. Sugihara, S. Sasa and M. Inoue, Superlattices and Microstructures, 20, 383 (1996); X.G. peralta, J. Kono, S.J. Allen, H. Sakaki, T. Sugihara, S. Sasa and M. Inoue, unpublished.
(12)Y. Nakamura, M. Tsuchiya, S. Koshiba, H. Noge, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 64, 2552 (1994).
(13)M. Inoue, S. Osako, S. Sasa, K. Tada, T. Sugihara, S. Izumiya, Y. Yamamoto, and C. Hamaguchi, in Proc. 9th Int. Conf. on Hot Carriers in Semicond., (Chicago) (1995).
(14)G. Yusa, S.J. Allen, J. Davies, H. Sakaki, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki and J. Aphopelto, The 24th International conference on physics of semiconductor, Th2-C1 (Aug. 2-7, 1998, Jerusalem, Israel).
(15)H. Lipsanen, M. Sopanen, and J. Aphopelto, Phys. Rev. B51, 13868 (1995); M. Sopanen, H. Lipsanen, and J. Aphopelto, Appl. Phys. Lett., 66, 2364 (1995).
(16)L.P. Kouwenhoven, S. Jauhar, J. Orenstein, P.L. McEuen, Y. Nagamune, J. Motohisa and H. Sakaki, Phys. Rev. Lett. 73, 3443 (1994); Y. Nagamune, H. Sakaki, L.P. Kouwenhoven, L.C. Mur, C.J.P.M. Harmans, J. Motohisa and H. Noge, Appl. Phys. Lett., 64, 2379 (1994).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 辻野 壮一郎,Ruefenacht M,菅原 宏治,笹川 隆平,秋山 英文,河野 淳一郎,Parelta X,井上 正宗,遊佐 剛. 半導体量子ナノ構造の赤外光・高周波電磁波に対する応答. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.64 - 86.

PAGE TOP