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ナノ構造におけるサブバンド間および準位間遷移

研究報告コード R990003914
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 井下 猛
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 ナノ構造におけるサブバンド間および準位間遷移
報告概要 ナノ構造におけるサブバンド間および準位間遷移に関係した,いくつかの成果を紹介する。
(1)アンドープGaAs量子井戸における共鳴テラヘルツサイドバンドの発生に関し,磁気励起子モデルにもとづいた摂動理論を提案した。数値計算の結果は、すべての実験結果を半定量的に説明する。さらにこの理論をもとに,サイドバンド共鳴が,新しい磁気励起子分光法として有用であることを示した。
(2)量子ドットレーザのエネルギー準位の離散性は準位間の電子緩和速度の低下を引き起こし,そのため発光効率も低く抑えられるという予測がある。これに関して,緩和時間をLA,LOの両フォノンについて二次の摂動計算によって求めたほか,電子,フォノン両系の完全なコヒーレンスを仮定した状態密度計算を行った。その結果,高速緩和が可能なのは準位間隔がLO共鳴から数meVの範囲にある場合に限られることがわかった。
(3)多準位量子ドットを介した電子輸送における近藤効果に関して,U=∞アンダーソンモデルに従って,非線形電気伝導を理論的に検討した。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)T. Inoshita, J. Kono and H. Sakaki, Phys. Rev. B57, 4604 (1998).
(2)T.Inoshita and H.Sakaki,第24回半導体物理国際会議 (エルサレム,1998).
(3)T.Inoshita and H.Sakaki,本シンポジウム ポスター発表.
(4)Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 24, 195 (1982).
(5)T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B46, 7260 (1993).
(6)T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B56, R4355 (1997).
(7)T. Inoshita, A. Shimizu, Y. Kuramoto and H. Sakaki, Phys. Rev. B48, 14725 (1993).
(8)T. Inoshita, Y. Kuramoto and H. Sakaki, Superlattices and Microstructures 22, 75 (1997).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 井下 猛,榊 裕之. ナノ構造におけるサブバンド間および準位間遷移. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.99 - 103.

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