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量子細線とエッジ状態 微傾斜(111)B基板上の周期15~20nmの面内変調を有するn-AlGaAs/GaAsの形成とその異方的な移動度

研究報告コード R990003915
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 中村 有水
  • 野田 武司
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
報告名称 量子細線とエッジ状態 微傾斜(111)B基板上の周期15~20nmの面内変調を有するn-AlGaAs/GaAsの形成とその異方的な移動度
報告概要 微傾斜(111)B基板上に周期15~20nmの面内変調を有する単ヘテロ構造を形成し,その異方的な移動度について検討した。
微傾斜(111)B基板上において,高Asフラックスを用いてGaAsのMBE成長を行うと,均一性に優れた多段原子ステップが形成される。この時,ステップ構造の平均周期は15~20nmであり,電子の波長と同程度である。そこで,図1(b)の多段原子ステップ構造を有するGaAs成長層上にヘテロ構造を形成することにより,二次元電子系を面内でポテンシャル変調した低次元電子系を作製した。この試料を用いて,温度4Kでステップに垂直方向および平行方向における電子移動度と電子密度の関係を測定した(図1(c))。その結果,電子移動度の大きな異方性が観測された。この結果を分析することにより,ステップの周期性が重要な役割をしていることが判明した,すなわち,電子の干渉効果が観測された可能性を示している。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)Y. Nakamura, et al., Appl. Phys. Lett. 69, 4093 (1996).
(2)Y. Nakamura, et al., J. Cryst. Growth 175/176, 1092 (1997).
(3)Y. Nakamura, et al., Proc. of The 24th ICPS (1999).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 中村 有水,野田 武司,榊 裕之. 量子細線とエッジ状態 微傾斜(111)B基板上の周期15~20nmの面内変調を有するn-AlGaAs/GaAsの形成とその異方的な移動度. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.108 - 113.

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