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量子細線とエッジ状態 微傾斜(111)B基板上の周期15~20nmの面内変調をしたn-AlGaAs/GaAs構造の異方的な磁気抵抗振動

研究報告コード R990003916
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 中村 有水
  • 井下 猛
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
報告名称 量子細線とエッジ状態 微傾斜(111)B基板上の周期15~20nmの面内変調をしたn-AlGaAs/GaAs構造の異方的な磁気抵抗振動
報告概要 微傾斜(111)B基板上において周期15~20nmの面内変調をした単一ヘテロ構造の異方的な磁気抵抗振動を検討した。
10nm寸法の周期性を有する多段原子ステップ構造を用いて,二次元電子系を面内でポテンシャル変調した低次元電子系を作製し温度,4Kで磁気抵抗を測定した。図1はステップに垂直方向と平行方向の磁気抵抗である。垂直方向の振幅は平行方向に比べ非常に大きく,磁場B=5.8Tにおいて両者の比は17に達している。通常の試料(図2(a))とは異なり,この試料では,ステップにより局在状態の形状が非常に異方的になると考えられる。電流がステップに垂直の時(図2(b))は,ステップにより形成されたポテンシャルに沿ったE×Bドリフトにより,両エッジ状態間の散乱確率は大きくなると考えられる。一方,電流がステップに平行な時は,両エッジ状態間の散乱はステップ構造に直交するため,比較的小さいと考えられ,実験結果が定性的に理解できる。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)Y. Nakamura and H. Sakaki, Physica B 256-258, 273 (1998).
(2)Y. Nakamura, et al., Physica E2, 944 (1998).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 中村 有水,井下 猛,榊 裕之. 量子細線とエッジ状態 微傾斜(111)B基板上の周期15~20nmの面内変調をしたn-AlGaAs/GaAs構造の異方的な磁気抵抗振動. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.114 - 119.

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