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量子細線とエッジ状態 顕微光学画像計測および分光手法の開発と量子ナノ構造の研究

研究報告コード R990003917
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 吉田 正裕
  • 渡辺 紳一
  • 馬場 基芳
  • 佐々木 岳昭
  • 秋山 英文
  • 染谷 隆夫
  • 近藤 直樹
  • 小柴 俊
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 東京大学物性研究所
  • 東京大学物性研究所
  • 東京大学物性研究所
  • 東京大学物性研究所
  • 東京大学物性研究所
  • 東京大学生産技術研究所
  • 東京大学生産技術研究所
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 東京大学物性研究所
  • 東京大学生産技術研究所
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 量子細線とエッジ状態 顕微光学画像計測および分光手法の開発と量子ナノ構造の研究
報告概要 新しい顕微光学画像計測法と分光法を開発し,量子ナノ構造の光学物性を明らかにした。特に,ソリッドイマージョンレンズを用いて,分解能と検出効率の両方を同時に改善した。
3.5nmスケールのT型InGaAs量子細線構造の電子状態の均一性とリッジ型量子細線レーザ構造の基礎物性およびレーザモードなどが明らかになった。マイクロボールレンズを加工した無収差のソリッドイマージョンレンズを用いて,回折限界を越えるサブミクロンオーダーの高い空間分解能を実現した。CCDカメラ,走査画像計測技術及び画像データ記録処理技術を組み合わせてパラレル計測型の二次元分光計測システムを開発した。さらに,ソリッドイマージョンレンズを用いた顕微光学画像計測法の応用を進め,回折限界を25%も上回る分解能と,8~12倍の検出効率の改善を達成した。(Fig.1~3)4K~室温の温度変化による多重量子井戸からの発光像の強度断面を観測した。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)M. Yoshita, H. Akiyama, T. Someya, and H. Sakaki, J. Appl. Phys. 83, 3777 (1998)
(2)S. Watanabe, S. Koshiba, M. Yoshita, H. Sakaki, M. Baba, and H. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 73, 511 (1998).
(3)T. Sasaki, M. Baba, M. Yoshita, and H. Akiyama, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L962 (1997).
(4)M. Yoshita, T. Sasaki, M. Baba, and H. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 73, 635 (1998).
(5)M. Yoshita, T. Sasaki, M. Baba, S. Koshiba, H. Sakaki, and H. Akiyama, Appl. Phys. Lett. 73, 2965 (1998).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 吉田 正裕,渡辺 紳一,馬場 基芳,佐々木 岳昭,秋山 英文,染谷 隆夫,近藤 直樹,小柴 俊,榊 裕之. 量子細線とエッジ状態 顕微光学画像計測および分光手法の開発と量子ナノ構造の研究. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.142 - 150.

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