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量子細線とエッジ状態 幅50nmのGaAs/AlGaAs多重量子細線の磁気抵抗振動

研究報告コード R990003919
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 大野 裕三
  • 中村 有水
  • Foley M
  • 染谷 隆夫
  • 野田 武司
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学生産技術研究所
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 量子細線とエッジ状態 幅50nmのGaAs/AlGaAs多重量子細線の磁気抵抗振動
報告概要 高移動度の一次元電子系を実現するため,劈開再成長法により幅50nmのGaAs/AlGaAs多重量子細線構造を形成し,磁気抵抗測定を行い,擬一次元電子状態の形成を確認するとともに,低温の磁気輸送特性を明らかにした。
図1に示す断面構造の試料を分子線エピタキシ法により形成した。細線の幅は50nmである。電極は端面に約100μm間隔でInSnをはんだ付けして形成した。このエッジ量子細線の2端子抵抗の1.5~35Kでの磁場依存性及び温度依存性を図2に示す。目立った4つのピークが観測された。得られた磁気抵抗の振動をランダウプロットにより解析した結果,実効的な閉じこめ幅が~50nmの一次元状態が出来ていることを確認した。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 大野 裕三,中村 有水,Foley M,染谷 隆夫,野田 武司,榊 裕之. 量子細線とエッジ状態 幅50nmのGaAs/AlGaAs多重量子細線の磁気抵抗振動. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.154 - 155.

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