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量子細線とエッジ状態 メサエッチング加工で作製したポイントコンタクトの伝導特性

研究報告コード R990003920
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 田中 健一
  • 野田 武司
  • 中村 有水
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
報告名称 量子細線とエッジ状態 メサエッチング加工で作製したポイントコンタクトの伝導特性
報告概要 ヘテロ構造上に作製した細線構造は,伝導特性においてコンダクタンスが量子化することがわかっている。これは,従来極低温にかぎって観察できる特性であった。著者らは,より強い横方向閉じこめを持つ細線構造の実現をめざして,浅くエッチングする技術を用いて,GaAs/AlGaAsヘテロ構造上にくびれを作り,そのチャネル部分を覆うショットキーゲート蒸着,ポイントコンタクトデバイスを作製し,コンダクタンスの測定とその温度依存性を調査した。
図は,0.3Kにおいて,ゲート電圧に対するデバイスのコンダクタンスを表している。n=3までの明瞭な量子化コンダクタンスが観察でき,その量子化は10K程度まで続くことがわかった。この技術によれば,従来のスプリットタイプのポイントコンタクトよりも大きな閉じこめ効果が期待できる。たとえ,チャネルが深い場合(100nm)も,強い閉じこめを持つ細線構造が作製でき,種々のヘテロ構造を用いたデバイス作製に応用できる。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)Y. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 69 pp4039-4095 (1996)
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 田中 健一,野田 武司,中村 有水,榊 裕之. 量子細線とエッジ状態 メサエッチング加工で作製したポイントコンタクトの伝導特性. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.156 - 157.

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