TOP > 研究報告検索 > 量子細線とエッジ状態 電界によるエッジ量子細線の形成と共鳴トンネル伝導

量子細線とエッジ状態 電界によるエッジ量子細線の形成と共鳴トンネル伝導

研究報告コード R990003921
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 山内 美如
  • 岸本 大介
  • 中里 隆志
  • 井下 猛
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学
  • 東京大学
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学
報告名称 量子細線とエッジ状態 電界によるエッジ量子細線の形成と共鳴トンネル伝導
報告概要 電子を10nm程度に閉じこめる方法としては,T型エッジ細線やエッジ量子細線等がある。ここでは,このエッジ量子細線に機能を加えた構造を検討した。
図1,3に構造を示す。n+GaAs量子井戸構造の端面にAlGaAs/GaAs/AlGaAsの2重障壁構造を介して厚いn+GaAs電極が形成されている。電子は一つの電極では三次元,他方の電極では二次元の状態にあり,その間を量子細線が結合している。
実際に,シュレーディンガーおよびポアソン方程式を self-consistent に解く数値計算を行った結果,束縛状態の形成が確認された(図2)。図3の構造ではI-V特性が観測されているが,得られた負性抵抗のピークは理論予測と一致し,一次元電子状態の形成を示している。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R990003921_01SUM.gif R990003921_02SUM.gif R990003921_03SUM.gif
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 山内 美如,岸本 大介,中里 隆志,井ノ下 猛,榊 裕之. 量子細線とエッジ状態 電界によるエッジ量子細線の形成と共鳴トンネル伝導. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.158 - 160.

PAGE TOP