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量子ドット—形成・物理・素子応用 10nm級InAs量子箱を介する電子のトンネル伝導

研究報告コード R990003922
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 成広 充
  • 遊佐 剛
  • 神谷 格
  • 中村 有水
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 東京大学生産技術研究所
  • 東京大学生産技術研究所
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 東京大学生産技術研究所
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 量子ドット—形成・物理・素子応用 10nm級InAs量子箱を介する電子のトンネル伝導
報告概要 面内量子化の効果が支配的な10nm級のInAs量子箱について,その電子状態を調べ,このような量子箱を介するトンネル伝導の特性を明らかにした。
フォトルミネッセンス測定や容量測定により次のことが分かった。InAs量子箱のエネルギー準位は1s状態と1p状態で構成され(図1),InAs量子箱を埋め込むAlGaAs層のAl組成が増加するにつれて,それぞれのエネルギー準位が上昇する。又,基底状態の上昇度合いは,低温(455℃で)成長したInAs量子箱の方が高温成長(510℃)のものよりも約3倍大きい。次に,AlAs障壁を有するInAs量子箱共鳴トンネルダイオードを作製し,電気特性を測定した(図2)。電気特性には,InAs量子箱の0次元性を反映した鋭い電流ピークが観測され,面内量子化が電気特性を支配することが明らかになった。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)H. Sakaki, Surf. Sci. 267, 623 (1992)
(2)M. Narihiro, G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70, 105 (1997)
(3)M. Narihiro, G. Yusa, Y. Nakamura, T. Noda and H. Sakaki, Proc. of 12th Int. Conf. of the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Wurzburg, Germany, July-August 1996 (World Scientific, Singapore, 1997), p477.
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 成広 充,遊佐 剛,神谷 格,中村 有水,榊 裕之. 量子ドット—形成・物理・素子応用 10nm級InAs量子箱を介する電子のトンネル伝導. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.171 - 173.

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