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量子ドット—形成・物理・素子応用 単一InAs量子ドットを介した共鳴トンネル伝導

研究報告コード R990003923
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 神谷 格
  • 田中 一郎
  • 田中 健一
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
報告名称 量子ドット—形成・物理・素子応用 単一InAs量子ドットを介した共鳴トンネル伝導
報告概要 単一InAs自己形成量子ドットの埋め込まれた構造の積層方向の伝導特性を原子間力顕微鏡(AFM)を用いて測定し,130Kという高温で単一ドットの量子準位を介した共鳴トンネル伝導の観察に成功した。
1)~108/cm2という低密度ドットをバリア層で挟み共鳴トンネルダイオード(RTD)構造を形成し,金属蒸着後,プロセシングで1μm角程度にすると一個ないし数個のドットを含んだμ-RTD構造となる(図1)。これらの伝導特性を導電プローブ型AFMで測定し,個々の量子ドットに由来する特性の観察に成功した。
2)Undoped GaAsで隔てられた,上層の大ドットとその直下に揃った普通のドットからなる,二層の自己形成InAs量子ドットからなる構造を用いて伝導特性を計測した。
導電プローブを表面の大ドットに接触させると,直下のドットの量子準位が下地のn+層の Fermi 準位と共鳴した時垂直伝導が観測された。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)I. Kamiya, et al., J. Cryst. Growth 201/202 (1999) 1146.
(2)I. Kamiya, et al., to be published.
(3)I. Tanaka, et al., Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 844; I. Tanaka, et al., J. Cryst. Growth 201/202 (1999) 1194.
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 神谷 格,田中 一郎,田中 健一,榊 裕之. 量子ドット—形成・物理・素子応用 単一InAs量子ドットを介した共鳴トンネル伝導. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.174 - 177.

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