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量子ドット—形成・物理・素子応用 導電性AFM探針による個々のInAs量子ドットの電気的特性

研究報告コード R990003924
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 田中 一郎
  • 神谷 格
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 量子ドット—形成・物理・素子応用 導電性AFM探針による個々のInAs量子ドットの電気的特性
報告概要 導電性探針を用いた原子力間顕微鏡(AFM)によって,個々のInAs量子ドットの電気的特性を測定した。
InAs量子ドット表面の凹凸と同時に電気的特性がナノメートルの分解能で測定できることが示された。図1において,(a)はn+-GaAs(001)面上に形成したInAs量子ドットの凹凸像で,(b)は同時に測定された電流像である。比較すると,ドット以外の「濡れ層」の上では抵抗が大きくて電流が流れにくいが,ドット上では抵抗が小さくなり,大きなドットほど低抵抗であることが分かる。これは,InAs表面に存在する正電荷の影響と考えられる。実際,ドットに探針を接触させて電流電圧特性を測定することにより,大きなドットほど表面のポテンシャルが低下していることを示す結果が得られた。このように,導電性探針AFMにより個々のドットの電気的特性を評価することが可能であり,この研究はInAs量子ドットを介した共鳴トンネル現象の解明へと発展している。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)I. Tanaka, I. Kamiya, H. Sakaki, N. Qureshi, S.J. Allen, Jr., and P.M. Petroff Appl. Phys, Lett. 74 (1999) 844.
(2)I. Tanaka, I. Kamiya, and H. Sakaki, J. Cryst. Growth 201/202 (1999) 1194.
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 田中 一郎,神谷 格,榊 裕之. 量子ドット—形成・物理・素子応用 導電性AFM探針による個々のInAs量子ドットの電気的特性. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.178 - 181.

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