TOP > 研究報告検索 > 量子ドット—形成・物理・素子応用 InAsドットをマスクにしたGaAs量子ドットの真空一貫形成プロセス

量子ドット—形成・物理・素子応用 InAsドットをマスクにしたGaAs量子ドットの真空一貫形成プロセス

研究報告コード R990003926
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 野毛 宏
  • 角屋 豊
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 量子ドット—形成・物理・素子応用 InAsドットをマスクにしたGaAs量子ドットの真空一貫形成プロセス
報告概要 自己形成InAsドットを選択エッチングのマスクとすることにより,真空一貫プロセスでGaAs量子ドットを作製した。
構造を図1に示す。MBE室とCl2用及びHCl用の二つのエッチング室が真空トンネルで接続された装置を用いた。10nmのGaAs量子井戸層上に1.5分子層分のInAsを堆積しInAsドットを自己形成した。次に表面の1~2分子層厚のInAsウェット層をHClで除去し,InAsドットをマスクとしてGaAsを4~5nmの深さまでCl2で選択エッチングした後,再びHClでInAsドットマスクを選択的に除去して,GaAsを形成した。さらにMBE室内で約520℃まで加熱し,その後As照射と同時に600℃まで加熱しながらAlAs,AlGaAs,GaAs各層を順次再成長して,GaAs量子ドットを埋め込んだ。埋込み前の構造のAFM観察から,高さ8~9nm,直径10~20nm,密度9×1010/cm2の0次元状態が厚さ4~5nmの2次元状態に結合した構造が形成されたと推定した。図2に試料のフォトルミネッセンススペクトルを示す。0次元および2次元状態に対応した発光が観測された。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R990003926_01SUM.gif R990003926_02SUM.gif
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)G. Yusa, H. Noge, Y. Kadoya, T. Someya, T. Suga, P. Petroff, and H. Sakaki: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1198.
(2)G. Yusa, H. Noge, Y. Kadoya, T. Someya, P. Petroff, and H. Sakaki: Inst. Phys. Conf. Ser. No. 145 (IOP Publishing, 1996) 955.
(3)野毛, 遊佐, 角屋, 榊: 第57回応用物理学学術講演会, 28p-zx-1.
(4)野毛, 遊佐, 角屋, 辻野, 榊: 第43回応用物理学関係連合講演会, 9a-D-8.
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 野毛 宏,角屋 豊. 量子ドット—形成・物理・素子応用 InAsドットをマスクにしたGaAs量子ドットの真空一貫形成プロセス. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.189 - 191.

PAGE TOP