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量子ドット—形成・物理・素子応用 AFM誘起量子ドットのテラヘルツ応答

研究報告コード R990003928
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • Qureshi N.
  • Allen, S.J.Jr
  • Reddy M.
  • Rodwell M.J.W.
  • 中村 有水
  • 田中 一郎
  • 野田 武司
  • 神谷 格
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • QUEST and Center for Terahertz Science and Technology, University of California, Santa Barbara
  • QUEST and Center for Terahertz Science and Technology, University of California, Santa Barbara
  • QUEST and Center for Terahertz Science and Technology, University of California, Santa Barbara
  • QUEST and Center for Terahertz Science and Technology, University of California, Santa Barbara
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • QUEST and Center for Terahertz Science and Technology, University of California, Santa Barbara
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
報告名称 量子ドット—形成・物理・素子応用 AFM誘起量子ドットのテラヘルツ応答
報告概要 原子間力顕微鏡(AFM)の鋭い導電性探針を用い,静電的にナノスケールの単一量子ドットを規定し,それに自由電子レーザのテラヘルツ光を照射した。これはナノリソグラフィー無しでテラヘルツ光を量子ドットに導入してその励起状態を調べる方法である。ここでは,室温及び超低温での単一ドットのD.C.電流並びにその光応答を測定した。
二重障壁量子井戸を強励起し,1Vにも達するテラヘルツ電圧を印可することに成功した。これより弱い励起では,0.6~3THzの範囲で古典的な整流効果を観察した(図1)。いくつかの試料では,再現性の良い複数の共鳴トンネルピークをD.C.I-V特性に見ることが出来た。これらのピークは,AFM探針を試料表面で走査すると変化した(図2)。この原因はまだ不明であるが,探針と試料間の Schottky 障壁での電子の反射によるものと考えられる。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)N. Qureshi, J. S. Scott, S. J. Allen, Jr, M. Reddy, M. J. W. Rodwell, Y. Nakamura, I. Tanaka, T. Noda, I. Kamiya, and H. Sakaki, Physica E2 (1998) 701.
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • Qureshi N.,Allen, S.J.Jr,Reddy M.,Rodwell M.J.W.,中村 有水,田中 一郎,野田 武司,神谷 格,榊 裕之. 量子ドット—形成・物理・素子応用 AFM誘起量子ドットのテラヘルツ応答. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.195 - 197.

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