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ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 二重量子井戸構造におけるサブバンド間遷移励起近赤外発光

研究報告コード R990003931
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • Ruefenacht M.
  • 辻野 壮一郎
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • Quantum Institute, Univ. of California, Santa Barbara
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • Quantum Institute, University of California, Santa Barbara
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 二重量子井戸構造におけるサブバンド間遷移励起近赤外発光
報告概要 電荷移動二重量子井戸構造(CTDQW,図1)におけるサブバンド間光励起を用いた電子分布の制御及び緩和過程の制御により中赤外光により近赤外発光(ITIL,Intersubband transition induced luminescence)を引き起こす素子を提案し,動作を確認した。
CTDQW構造は,厚いAlGaAs中間障壁層で隔てられた幅の異なる二つの非結合GaAs量子井戸を高い外側障壁層で挟んだ構造である。厚さ8nmのQW-L,厚さ6.5nmのQW-R,厚さ25nmのAlGaAs中間障壁層,外部障壁としてAlAs-GaAs超格子層からなるCTDQW構造16周期を半透明金薄膜のショットキー電極とn+GaAs50nmの下側電極で挟んだものを試料とした。図2に測定例を示す。始めに,Arレーザ30us照射により,QW-Rに電子を,QW-Lにホールを蓄積し,15us経てからQW-Rのサブバンド間遷移を励起する10umのパルスCO2レーザを照射すると,QW-Lから0.8umにおける強い発光が生じる。
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)M. Ruefenacht, S.Tsujino, H.Ohno, and H.Sakai, Appl. Phys. Lett. 70, 1128 (1997).
(2)M. Ruefenacht, S. Tsujino, and H. Sakaki, Physica B 251, 723 (1998).
(3)M. Ruefenacht, H. Akiyama, S. Tsujino, Y. Kadoya, and H. Sakaki, Inst. Phys. Conf. Ser. 141, 841 (1994).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • Ruefenacht M.,辻野 壮一郎,榊 裕之. ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 二重量子井戸構造におけるサブバンド間遷移励起近赤外発光. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.221 - 223.

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