TOP > 研究報告検索 > ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 サブバンド間光励起による二重量子井戸内の電子分布の制御

ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 サブバンド間光励起による二重量子井戸内の電子分布の制御

研究報告コード R990003932
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 菅原 宏治
  • 秋山 英文
  • 角屋 豊
  • Lorke A.
  • 松末 俊夫
  • 辻野 壮一郎
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター、東京大学生産技術研究所
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター、東京大学生産技術研究所
  • 東京大学先端科学技術研究センター、東京大学生産技術研究所
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 東京大学先端科学技術研究センター
  • 東京大学生産技術研究所
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 サブバンド間光励起による二重量子井戸内の電子分布の制御
報告概要 図1に示す励起準位が共鳴した非対称二重量子井戸構造を設計して,サブバンド間の光励起による電子分布の空間的移動(electron pumping)を実証した。
左右の量子井戸は第2準位が共鳴しているのに対し,基底準位のエネルギーがずれている。適当な偏光を持った赤外光の照射により,左の基底準位から第2準位に励起された電子は障壁を越えて両方の量子井戸に広がり,緩和して行く。右の井戸で緩和した電子は,更に左の井戸へトンネルで抜けていくが,このレートを低く抑えられれば,右の基底準位にも電子が蓄積するようになる。MBE法により上記構造を作製し,サブバンド間遷移に共鳴したレーザ光を照射しフォトルミネッセンスを測定した。赤外光の照射により,発光波長は変化せず,右の井戸の発光強度が顕著に増加した(図2)。更に,トンネルレートをより抑えた試料では,右からの発光強度が逆転する様子が観測された。これは,提案した機構が電子分布を変化させるのに有効に働いたことを示すものである。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R990003932_01SUM.gif R990003932_02SUM.gif
研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)H. Akiyama, H. Sugawara, Y. Kadoya, A. Lorke, S. Tsujino, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 65, 424 (1994)
(2)H. Sugawara, H. Akiyama, Y. Kadoya, A. Lorke, S. Tsujino. T. Matsusue, and H. Sakaki, in Quantum Well Intersubband Transition Physics and Devices, eds. H.C. Liu et al., Kluwer Academic Publishers, 565 (1994).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 菅原 宏治,秋山 英文,角屋 豊,Lorke A.,松末 俊夫,辻野 壮一郎,榊 裕之. ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 サブバンド間光励起による二重量子井戸内の電子分布の制御. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.224 - 226.

PAGE TOP