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ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 量子井戸における二次元電子のサブバンド間光励起下のダイナミクス

研究報告コード R990003936
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 辻野 壮一郎
  • 榊 裕之
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
  • 東京大学先端科学技術研究センター
研究機関
  • 科学技術振興事業団 国際共同研究事業
報告名称 ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 量子井戸における二次元電子のサブバンド間光励起下のダイナミクス
報告概要 サブバンド間光遷移を用いた赤外光デバイスの動作では,光吸収過程のみならず,サブバンド間及びサブバンド内の緩和過程,エネルギー緩和過程,励起子の実空間遷移などの光励起にともなう電子系のダイナミックスが感度や応答速度を決める。そこで,10umの赤外レーザを用いて強励起下で準定常状態にある電子分布を調査した。
サブバンド間励起下でのフォトルミネッセンススペクトルの測定結果を図1に示す。さらに,電子温度を励起強度の関数として測定した。また,吸収スペクトル自体も,電子密度・分布に依存し,強励起下では特に励起準位への分布の効果があらわれる(図2)。強励起光によって測定した非線形サブバンド間吸収スペクトルのピークを,励起された電子密度を基底サブバンドの電子密度から差し引いた値の関数として示した。(Inset:DCバイアスによって電子密度を制御したときの線形吸収スペクトルのピーク変化)
画像

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研究分野
  • 半導体レーザ
  • 光集積回路,集積光学
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス製造技術一般
関連発表論文 (1)S. Tsujino, et. al, Jpn. J. Appl. Phys., 34, 5989 (1995).
(2)S. Tsujino, et. al., Physica Status Solidi(b) 204, 162 (1997).
研究制度
  • 国際共同研究事業、量子遷移プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 辻野 壮一郎,榊 裕之. ナノ構造の赤外・テラヘルツ・高周波応答 量子井戸における二次元電子のサブバンド間光励起下のダイナミクス. 国際共同研究事業 量子遷移プロジェクト 研究終了報告書 第I分冊:本編(研究期間:1994-1998),1999. p.236 - 237.

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