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固液界面の原子レベル反応制御 シリコン電極の溶解過程

研究報告コード R990003941
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 鍛示 和利
  • 姚 學麟
  • 叶 建輝
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 固液界面の原子レベル反応制御 シリコン電極の溶解過程
報告概要 シリコンの湿式エンチングは,LSI製造プロセスにおいて重要な技術の一つである。溶液中でのシリコン表面の溶解機構解明を目的に,電気化学走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて,シリコン表面のその場観察を行った。各面方位に応じて,n-Si(111)は硝酸煮沸-HF洗浄-NH4F洗浄,n-Si(110)は硝酸煮沸-HF洗浄,n-Si(001)は脱脂洗浄の前処理後,各濃度のNH4F溶液中で電気化学STMを用いて表面を観察した。
1)Si(111)面:0.27M NH4F溶液中で,テラスは時間と共に単原子層ごとに結晶方位異方性を示しながら溶解した(図1)。
2)Si(110)面:ここでもテラスの溶解とピットの成長は,単原子層ごとに結晶方位異方性を示しながら進行した。
3)Si(001)面:溶解の進行に伴い,Si(001)面から54.7度の傾きをなすSi(111)マイクロファッセトが形成され,そこではSi(111)-(1x1)構造の原子像を観察した(図2)。
画像

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R990003941_01SUM.gif R990003941_02SUM.gif
研究分野
  • 半導体の表面構造
  • 金属組織観察法
関連発表論文 (1)S.L. Yau, F.R.F. Fan and A.J. Bard, J. Electrochem. Soc., 139 (1992) 2825
(2)S.L. Yau, K. Kaji and K. Itaya, Appl. Phys. Lett., 66 (1994) 766
(3)K. Kaji, S.L. Yau and K. Itaya, J. Appl. Phys., 78 (1995) 5727
(4)J.H. Ye, K. Kaji and K. Itaya, J. Electrochem. Soc., 143 (1996) 4012
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、板谷固液界面プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 鍛示 和利,姚 學麟,叶 建輝. 固液界面の原子レベル反応制御 シリコン電極の溶解過程. 創造科学技術推進事業 板谷固液界面プロジェクト 最終シンポジウム要旨集(研究期間:1992-1997),1997. p.23 - 25.

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