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固液界面の原子レベル反応制御 化合物半導体の溶解過程

研究報告コード R990003942
掲載日 2001年2月6日
研究者
  • 八尾 秀樹
  • 姚 學麟
研究者所属機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
研究機関
  • 科学技術振興事業団 創造科学技術推進事業
報告名称 固液界面の原子レベル反応制御 化合物半導体の溶解過程
報告概要 化合物半導体で高性能・高機能化を実現するには,その表面の構造を原子レベルで制御することが必要である。湿式エッチングにより原子レベルで平坦な表面や超微細構造を形成しようとする場合,半導体表面の原子レベルでの溶解過程を十分に理解していることが必要である。現在最も重要な化合物半導体であるGaAsやInPについて,溶液中での表面構造と,その溶解過程を,電気化学走査型トンネル顕微鏡により調べた。n型のGaAsとInPの(100),(111)A,(111)B基板を試料として用い,1M HCl溶液で前処理エッチングした後,表面を一度も大気に曝さずに溶液中で電気化学走査型トンネル顕微鏡(STM)観察を行った。表面構造の観察は,いずれも0.05Mの硫酸水溶液中で,試料をカソード電位に保持して行った。また,GaAsの溶解過程は,この溶液中に微量の過酸化水素を加えることにより,InPの溶解過程は,カソード溶解が起こる電位に保持して観察した。
画像

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研究分野
  • 半導体の表面構造
  • 金属組織観察法
関連発表論文 (1)H. Yao, S.-L. Yau and K. Itaya, Surface Science, 335 (1995) 166.
(2)H. Yao, S.-L. Yau and K. Itaya, Appl. Phys. Lett., 68 (1996) 1473.
(3)H. Yao, and K. Itaya, J. Electrochem. Soc., 145 (1998) 3090.
研究制度
  • 創造科学技術推進事業、板谷固液界面プロジェクト/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 八尾 秀樹,姚 學麟. 固液界面の原子レベル反応制御 化合物半導体の溶解過程. 創造科学技術推進事業 板谷固液界面プロジェクト 最終シンポジウム要旨集(研究期間:1992-1997),1997. p.26 - 29.

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