TOP > 研究報告検索 > カーボンナノチューブを利用した量子ドット

カーボンナノチューブを利用した量子ドット

研究報告コード R013000271
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 鈴木 正樹
  • 鈴木 正樹
  • 石橋 幸治
  • 井田 哲哉
  • 虎谷 健一郎
  • 津谷 大樹
  • 河野 圭太郎
  • 青柳 克信
  • 青柳 克信
研究者所属機関
  • 理化学研究所
  • Department of Electrical Engineering,Graduate School of Engineering Toyo University
  • 理化学研究所
  • 理化学研究所
  • Department of Materials Science, Chiba University
  • Department of Materials Science, Chiba University
  • 東京工業大学大学院総合理工学研究科
  • 理化学研究所
  • 東京工業大学大学院総合理工学研究科
研究機関
  • Department of Electrical Engineering, Graduate School of Engineering Toyo University
  • 理化学研究所
報告名称 カーボンナノチューブを利用した量子ドット
報告概要 このプロジェクトでは,単層カーボンナノチューブ(SWNTs)を利用して二結合量子ドットを形成する可能性を追求している。この報告では,単一量子ドットおよび二重結合量子ドット構造を作成するための試みについて述べる。SWNTsに,電流を流すソース,ドレイン電極とドット内のエネルギー準位を変化させるためのゲート電極を形成して電子輸送特性を測定した。この試料は,単一量子ドットとしての周期的なクーロンダイアモンドが観測された。中には,多重ドットとして不規則なクーロンダイアモンドを示すものもあった。最も電極間隔の狭い試料においては,液体窒素温度付近までクーロンブロッケード効果が観測された。また,室温で半導体的な性質を示す試料もあり,ゲート電圧を正の方向へ印可するとコンダクタンスが減少することも観測された。二重結合量子ドットは,ソース・ドレイン電極間にSiO2を堆積することによって作製した(図1)。電気伝導特性において,二重結合量子ドット構造を示唆する不規則なクーロンダイアモンドと負性抵抗が観測されたこれらの特性から二重結合量子ドットが形成されたことが確かめられた(図2)。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R013000271_01SUM.gif R013000271_02SUM.gif
研究分野
  • 無機化合物の電気伝導
  • 固体デバイス材料
  • トランジスタ
  • 固体デバイス
関連発表論文 (1)K. Ishibashi, M. Suzuki, T. Ida, K. Tsukagoshi and Y. Aoyagi: Jpn. J. Appl. Phys. 39, 7053-7057 (2000)
(2)K. Ishibashi, M. Suzuki, T. Ida and Y. Aoyagi: Appl. Phys. Lett. 79 (12) 1864-1866 (2001)
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 青柳 克信(東京工業大学大学院総合理工学研究科)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 鈴木 正樹,石橋 幸治,井田 哲哉,虎谷 健一郎,津谷 大樹,河野 圭太郎,青柳 克信. Carbon nanotubes for quantum dots. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.14 - 14.

PAGE TOP