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先端放電型マイクロ波プラズマCVDを用いたIr(001)/MgO(001)基板上へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長

研究報告コード R013000288
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 藤崎 豊克
  • 立木 実
  • 川原田 洋
研究者所属機関
  • 早稲田大学
  • 早稲田大学
  • 早稲田大学
研究機関
  • 早稲田大学
報告名称 先端放電型マイクロ波プラズマCVDを用いたIr(001)/MgO(001)基板上へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長
報告概要 ヘテロエピタキシャルダイヤモンド(001)薄膜を高品質のIr(001)/MgO(001)基板上に成長することに成功した。ダイヤモンドの核形成密度を上げるために,バイアス核形成時に先端放電型マイクロ波プラズマCVDを用いた。このCVD法を自然界の尖端放電現象「セントエルモの火」に因んで,「セントエルモ CVD」と名づけた(図1)。核生後形成後の成長は通常のマイクロ波プラズマCVDを用いて行った。SEMとRHEEDから数mm2の範囲でダイヤモンドエピタキシャル薄膜が成長していることが確かめられた。さらにRHEEDパターンには水素終端ダイヤモンド(001)表面の2×1/1×2表面再構成構造が観察された(図2の矢印)。ダイヤモンド(001)表面が十分に平坦な場合,逆格子ロッドが延びEwald球と交わり,最表面の2×1/1×2再構成構造が観察される。これ他のことから,原子層レベルで平坦なダイヤモンド薄膜がIr(001)/MgO(001)基板上にエピタキシャル成長していると結論できる。
画像

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研究分野
  • 半導体の結晶成長
  • 薄膜成長技術・装置
  • 半導体薄膜
  • 半導体の表面構造
関連発表論文 (1)H. Kawarada, T. Suesada and H. Nagasawa: Appl. Phys. Lett. 65 (1995) 583.
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 川原田 洋(早稲田大学理工学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 藤崎 豊克,立木 実,川原田 洋. Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma-assisted chemical vapor deposition.. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.54 - 54.

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