TOP > 研究報告検索 > ダイヤモンドMIS構造の作製に向けたCaF2のPLD成長

ダイヤモンドMIS構造の作製に向けたCaF2のPLD成長

研究報告コード R013000291
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 小林 猛
  • 牧 哲朗
  • 岡本 圭
研究者所属機関
  • 大阪大学
  • 大阪大学
  • 大阪大学
研究機関
  • 大阪大学
報告名称 ダイヤモンドMIS構造の作製に向けたCaF2のPLD成長
報告概要 我々はこの研究で,理想的なダイヤモンドMIS構造を得ることに狙いを定めて,CaF2のPLD(プラズマレーザーデポジション)を行いそのターゲットと成長薄膜の性質を詳しく調べた。CaF2薄膜は,CaF2ターゲットとArFエキシマーレーザー(193nm,20ns)のPLDで成長した。実際に我々は成長膜表面にたくさんのdropletやfragmentが付着するという問題に直面した。ターゲットと基板の間にシャドーマスクを置くことでdropletの形成は防げたが,fragment(~3μm)は残った(図2(a))。このfragment問題は二光子吸収が支配的になるとますます深刻となる。図2にレーザー密度とfragmentの数の関係を示す。閾値は約3J/cm2。しかし,アブレートされたターゲット表面の綿密な検討から新しいことがわかった。すなわち,ターゲットのレーザー照射位置を制御すること(静止ターゲット法)で閾値を超えてもfragmentのないCaF2薄膜を得ることができた(図2(b))。
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

R013000291_01SUM.gif R013000291_02SUM.gif
研究分野
  • 薄膜成長技術・装置
  • 無機化合物の薄膜
  • 固体の表面構造一般
関連発表論文 (1)S. Suzuki, Y. Otsuka, T. Maki and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1031.
(2)Y. Yun, T. Maki, H. Tanaka and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2640.
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 川原田 洋(早稲田大学理工学部)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 小林 猛,牧 哲朗,岡本 圭. PLD growth of CaF2 for fabrication of diamond MIS structure. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.57 - 57.

PAGE TOP