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キャリア相関エレクトロニクス

研究報告コード R013000292
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 平山 祥郎
研究者所属機関
  • 日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
研究機関
  • 日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
報告名称 キャリア相関エレクトロニクス
報告概要 我々のゴールは半導体構造のキャリア相互作用の理解とその工学への応用である。特に我々の夢は量子ビット(qubit)とキャリア超流動の実現である。それは容易でないが,前回のCREST-FEMDシンポジウム以来いくつかの重要な進展があった。以下に記す。
(1)層構造のキャリア相互作用:バックゲート付きGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用い,二次元電子系と半導体中の核スピンの相互作用を明らかにした。これは核スピンの電子系による操作の可能性を示すものである。
(2)ナノ構造のキャリア相互作用:バックゲート付き量子ポイントコンタクトを作製した。その代表的な輸送特性を図1に示す。量子化された伝導度のプラトーに加えて,電子間相互作用の結果である0.7異常も見られた。さらに,量子ドットのスピン相関に関して強い近藤効果を観測し,伝導度がユニタリー極限に到達することを示した。
(3)ナノプロービング:半導体の伝導電子の波動の姿を直接測定することに成功した(図2)。
(4)キャリアダイナシクスと
(5)量子情報プロセシング
については後出の報告を参照されたい。
画像

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研究分野
  • 半導体結晶の電気伝導
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
  • 固体デバイス
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 平山 祥郎(日本電信電話(株)物性科学基礎研究所)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 平山 祥郎. Interacting Carrier Electronics. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.68 - 71.

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