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ネオシリコンとその物性のデバイス応用の可能性

研究報告コード R013000308
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 嶋田 寿一
  • 安藤 正彦
  • 山口 伸也
研究者所属機関
  • (株)日立製作所中央研究所
  • (株)日立製作所日立研究所
  • (株)日立製作所中央研究所
研究機関
  • (株)日立製作所中央研究所
  • (株)日立製作所日立研究所
報告名称 ネオシリコンとその物性のデバイス応用の可能性
報告概要 バルクにはない特長が強調されたナノシリコン材料のことをネオシリコンとよぶ。ここでは,ネオシリコンを活用した二つの応用の可能性を論ずる。
(1)超低消費電力高速不揮発メモリ:それを実現するには大きなオンオフ電流比をもつトランジスタの開発が一番の近道である。しかしバルクの結晶シリコンでは実現困難であるが,ネオシリコンはその候補である。実際にナノシリコンを用いたメモリやトランジスタに関していくつかの報告がある。しかし,ナノシリコンとバリア材料におけるホッピング伝導のような電流リークのメカニズムを明らかにする必要がある。
(2)バリスティックな冷電子放出-真空無用のEL:KoshidaらはポーラスSiからの冷電子放出を報告した。効率がよく安定で低雑音の電子放出の性質が明らかになった。彼らは,積み重なったナノシリコンを流れるバリスティックな輸送が高電界のもとで起きたと論じている。バリスティック電子は真空中の加速なしで蛍光体を励起できる。真空無用のELがネオシリコンの有望な応用の一つである。
研究分野
  • 熱電子放出,電界放出
  • 発光素子
  • 固体デバイス
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 小田 俊理(東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 嶋田 寿一,安藤 正彦,山口 伸也. Potential Device Application of Neo-Silicon and its Material Characterization. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.97 - 97.

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