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III-V化合物半導体薄膜成長用MOVPE技術の高度化

研究報告コード R013000315
掲載日 2003年10月1日
研究者
  • 霜垣 幸浩
  • Ho-Jin Oh
  • 福島 康之
  • 中野 義昭
研究者所属機関
  • 東京大学
  • 東京大学
  • 東京大学
  • 東京大学
研究機関
  • 東京大学
報告名称 III-V化合物半導体薄膜成長用MOVPE技術の高度化
報告概要 我々はMOVPEによるInGaP/GaAs成長でAs-P置換を精密に制御するガス切り替えシーケンスを研究している。この研究ではGaAs上にInGaPを成長する場合のガス切り替えを調査した。GaAs上のTBAsとTMGaの吸着/脱離はエリプソメトリーで調べた。GaAs表面のエリプソメトリー信号は,TBAsの供給を止めた後も数秒間は同じレベルを保った。これはGaAs表面に過剰のAsが吸着されていて取り除くのが困難であることを示唆している。そこで我々はTMGaを供給することでそれを終わらせようと試みた。TBAsの供給を止めた直後にTMGaを供給すると,初めは変化がないが,0.6秒後に信号レベルが変化し始め,3.0秒後には異なるレベルになった。これは0.6秒間のTMGaの導入で十分Asを終端できることを示している。他方,GaAs表面へTBPを導入したときは1秒以内に大きな信号変化が起きた。これはGaAs表面にGaPができたことによる。GaAs中へのPの拡散は実に速いので,その前に早くInGaPを形成する必要がある。すなわち,TBPとTMIn/TMGa混合ガスを,同時に供給すべきである。これらの観察から,我々は急峻なInGaP/GaAs界面を作るための新しいガス切り替えシーケンスを確立した(図1)。
画像

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研究分野
  • 半導体の結晶成長
  • 半導体薄膜
  • 13‐15族化合物を含む半導体-半導体接合
関連発表論文 (1)T. Nakano, Y. Nakano, and Y. Shimogaki, J. Crystal Growth, 221, 136-141 (2000).
(2)O. Feron, Y. Feurprier, Y. Shimogaki, M. Sugiyama, W. Asawamethapant, N. Futakuchi, and Y. Nakano, Appl. Surf. Sci., 159-160, 318-327 (2000).
研究制度
  • 戦略的創造研究推進事業 CRESTタイプ、電子・光子等の機能制御/研究代表者 中野 義昭(東京大学大学院工学系研究科)/科学技術振興事業団
研究報告資料
  • 霜垣 幸浩,Ho-Jin Oh,福島 康之. Advanced MOVPE Technology for III-V Compound Semiconductor Thin Film Growth. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.120 - 120.

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